制造商：Microsemi（现为L3Harris Technologies）
　　产品类型：射频放大器
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　频率范围：1.8 GHz - 3.0 GHz
　　增益：约22 dB（典型值）
　　噪声系数：约0.6 dB（典型值）
　　输出IP3：约35 dBm（典型值）
　　工作电压：5V或3.3V可选
　　功耗：约120 mA @ 5V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装尺寸：5 mm x 5 mm QFN
　　输入/输出匹配：50Ω
　　稳定性：高稳定性设计，适合宽带应用

MSFC22-183-001M0具有多项先进特性，使其在射频放大器领域表现出色。首先，其低噪声系数（约0.6 dB）确保在接收路径中引入的噪声极小，从而提高系统的整体信号质量。其次，该器件提供高达22 dB的典型增益，在高频段仍能保持稳定性能，适用于多级放大结构中的第一级放大器。此外，其高线性度（输出IP3约35 dBm）使得在高功率信号环境下仍能保持信号的完整性，减少信号失真。
　　该芯片采用5 mm x 5 mm QFN封装，体积小巧，便于集成到紧凑型设计中。同时，其工作电压为5V或3.3V可选，适应多种电源设计需求，功耗约为120 mA @ 5V，具有较高的能效比。此外，MSFC22-183-001M0在-40°C至+85°C的工作温度范围内表现出良好的热稳定性和可靠性，适用于户外设备和工业级应用。
　　该器件的输入和输出端口均匹配50Ω，简化了与外围电路的连接，无需额外的匹配网络，降低了设计复杂度。其宽带特性使其适用于1.8 GHz至3.0 GHz之间的多种无线通信标准，如LTE、5G NR、Wi-Fi 6等。同时，芯片内部集成了稳定电路，确保在宽频率范围内不会发生自激振荡，提高系统稳定性。

MSFC22-183-001M0广泛应用于各类高性能射频系统中，包括但不限于以下领域：
　　? 无线基站和小型蜂窝基站（Small Cell）
　　? 5G NR和4G LTE通信系统
　　? Wi-Fi 6接入点和路由器
　　? 微波和毫米波通信链路
　　? 射频测试设备和测量仪器
　　? 无线回传系统（Microwave Backhaul）
　　? 宽带和窄带无线接入系统
　　此外，该芯片也适用于各种工业和通信设备中需要高性能、低噪声放大器的场合，如远程无线传感器、RFID读写器以及无人机通信模块等。

HMC414MS8E, TQP3M9015, ATF-54143, BGA9L11, PSA4311