类型：DDR4 SDRAM
　　容量：32 Gb (4GB x 8)
　　组织结构：8 Bank Groups
　　引脚数：78 BGA
　　工作电压：1.2V
　　频率：2666 MT/s
　　封装形式：FBGA
　　I/O标准：DDR4
　　ECC支持：Yes

MSAST21GAB5475KTNA01 提供了以下关键特性：
　　1. 高速数据传输：工作频率为 2666 MT/s，确保了极高的数据吞吐量。
　　2. ECC 纠错功能：内置 ECC 支持，可以检测并修正单比特错误，从而提升系统的可靠性和稳定性。
　　3. 低功耗设计：采用 1.2V 的标准工作电压，有助于降低整体能耗。
　　4. 多 Bank Group 架构：8 Bank Groups 的设计提高了并发操作的效率，适合多任务处理场景。
　　5. 高密度存储：单颗芯片即可实现大容量存储，减少了 PCB 上的空间占用。
　　6. 工业级温度范围：能够在 -40°C 至 +125°C 的环境下正常工作，适用于严苛的工作环境。

MSAST21GAB5475KTNA01 主要应用于需要高带宽和高可靠性的场景，包括：
　　1. 企业级服务器：用于数据中心和云计算平台中的服务器内存扩展。
　　2. 工作站：为图形处理、视频编辑和其他高性能需求的应用提供快速内存支持。
　　3. 高性能计算 (HPC)：在科学研究、仿真分析等需要大量数据处理的任务中发挥重要作用。
　　4. 网络设备：如路由器和交换机等需要高速数据交互的网络硬件中。
　　5. 嵌入式系统：在一些对数据可靠性要求较高的工业控制或医疗设备中使用。

MTA9ASF32G72PZ, MTA9ASF32G72AZ, MTA9ASF32G72PZA