类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大漏极电流（Id）：15A（在25°C）
　　最大栅极电压（Vgs）：±30V
　　最大功耗（Ptot）：150W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.44Ω
　　阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V
　　漏极电容（Coss）：约800pF
　　封装形式：TO-220

2SK1942-01具有多项优良特性，使其在功率电子领域中表现出色。首先，它的最大漏源电压达到500V，能够承受较高的电压应力，适用于高电压应用。其次，该器件的最大漏极电流为15A，在适当的散热条件下可支持较高的功率输出。此外，2SK1942-01的导通电阻较低，约为0.44Ω，有助于减少导通损耗，提高系统的整体效率。
　　        该MOSFET的栅极电压范围为±30V，允许使用较高的栅极驱动电压以确保完全导通，同时具备一定的过压保护能力。阈值电压为2V至4V，使得该器件可以与标准逻辑电平驱动器兼容，简化了驱动电路的设计。
　　        2SK1942-01采用了先进的硅技术，具备良好的温度稳定性和抗热失效能力。在高工作温度下，器件仍能保持稳定运行，适用于环境温度较高的应用场景。其TO-220封装不仅提供了良好的散热性能，还便于安装在散热片上，进一步提升器件的热管理能力。
　　        此外，该器件的漏极电容约为800pF，较低的电容值有助于减少开关损耗，提高高频工作的性能。这一特性使其非常适合用于高频率开关电路，如电源转换器和逆变器等。

2SK1942-01广泛应用于多种高功率和高电压场合。最常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、逆变器以及电机驱动电路。由于其高耐压和较大电流能力，它也常用于工业控制设备、电源管理系统以及LED照明驱动电路。
　　        在消费类电子产品中，2SK1942-01可用于电源适配器、充电器以及各类需要高效功率管理的设备。此外，它也可用于音频功率放大器中的电源开关部分，以提高系统的稳定性和效率。
　　        在工业领域，该器件适用于自动化控制系统的电源模块、UPS不间断电源、太阳能逆变器以及电池管理系统等。其良好的热稳定性和高可靠性使其在恶劣工作环境下依然表现出色。

2SK2142, 2SK1318, 2SK1530