时间：2025/9/3 7:11:43
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MRF859 是一款由 NXP（恩智浦）公司生产的高性能射频功率晶体管，主要用于高频功率放大应用。这款晶体管基于硅双极型晶体管（Si BJT）技术设计，适用于广播、通信和工业应用中的高频功率放大电路。MRF859 能够在很宽的频率范围内提供高输出功率和高效率，是设计者在射频功率放大器中的常用选择。
类型：双极型射频功率晶体管
制造商：NXP Semiconductors
最大工作频率：175 MHz
最大集电极-发射极电压（Vce）：65 V
最大集电极电流（Ic）：10 A
最大功耗（Ptot）：250 W
增益：约 10 dB（典型值）
封装类型：TO-3P
MRF859 拥有卓越的射频性能，适用于高功率放大应用。其工作频率可达175 MHz，适合用于广播发射器、高频加热设备、工业射频功率系统等。该器件采用高可靠性的硅双极型技术制造，具有良好的热稳定性和抗过载能力。
该晶体管的封装采用TO-3P形式，具备良好的散热性能，可在高功率条件下保持稳定工作。MRF859 的高输出功率和高效率使其在射频功率放大器中表现出色，尤其在FM广播和电视发射系统中应用广泛。
此外，MRF859 在设计时考虑了易于使用和高稳定性，可以在各种射频环境中保持出色的线性度和稳定性。它还具有较高的抗失真能力，适用于需要高保真信号放大的应用。
MRF859 主要用于广播发射机、射频加热系统、工业射频功率放大器、HF/VHF/UHF频段通信设备、高频电源转换器等应用场景。
MRF895, MRF8590, 2N6146, BLF177
