H5MS2G32MFR-E3M 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款存储器模块被设计用于需要高性能和可靠性的应用,如个人电脑、服务器、工业设备等。H5MS2G32MFR-E3M 属于DDR3 SDRAM(双倍数据速率第三代同步动态随机存取存储器)类型,具有较大的存储容量和较高的数据传输速率,适用于需要大量内存资源的应用场景。
容量:2GB
类型:DDR3 SDRAM
工作电压:1.5V
数据速率:1600Mbps
数据宽度:32位
引脚数量:72针
封装类型:FBGA
工作温度:0°C至85°C
H5MS2G32MFR-E3M 是一款高性能的DDR3 SDRAM模块,具有以下主要特性:
1. 高容量:该模块提供了2GB的存储容量,适用于需要大量数据存储和处理的应用,如高端计算机、服务器和嵌入式系统。
2. 高数据速率:H5MS2G32MFR-E3M 支持高达1600Mbps的数据传输速率,使得数据的读取和写入更加迅速,提高了系统的整体性能。
3. 低功耗设计:工作电压为1.5V,相较于传统的DDR2 SDRAM模块,功耗更低,有助于减少设备的电力消耗和热量产生,提高能效。
4. 宽温度范围:该模块的工作温度范围为0°C至85°C,能够在较为恶劣的环境条件下稳定运行,适用于工业控制、网络设备等对稳定性要求较高的场合。
5. 高可靠性:SK Hynix 的制造工艺确保了该模块的高可靠性,具备较长的使用寿命和良好的抗干扰能力。
6. 标准化封装:采用72针FBGA封装,符合行业标准,便于安装和更换,提高了模块的兼容性和可维护性。
7. 数据宽度:32位数据宽度的设计,使得每次数据传输可以处理更多的信息,从而提高了系统的处理效率。
H5MS2G32MFR-E3M DDR3 SDRAM模块广泛应用于各种高性能计算和存储需求的场景。常见的应用包括:
1. 高端个人电脑和工作站:作为主内存,为操作系统和应用程序提供快速的数据访问,提高系统响应速度和多任务处理能力。
2. 服务器和数据中心:在服务器中使用,支持大量并发请求的处理,提升服务器的性能和稳定性。
3. 工业控制系统:用于工业自动化设备和控制系统,确保在复杂环境中稳定运行,并提供足够的内存资源支持复杂的数据处理任务。
4. 网络设备:如路由器和交换机,用于缓存和处理大量的网络数据流,确保数据传输的高效和稳定。
5. 嵌入式系统:在需要高性能和高可靠性的嵌入式设备中,例如医疗设备、智能终端等,提供稳定的内存支持。
H5T1G63AFR-H9C
H5T2G63AMR-4Gb
H5MS1G32MFR-E3M