时间：2025/12/25 11:26:47
阅读：49
UDZVFHTE-177.5B是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的齐纳二极管（Zener Diode）。该器件属于表面贴装型小信号齐纳二极管系列，专为精密电压参考、电压箝位和稳压应用而设计。其额定齐纳电压为7.5V，在规定的测试电流条件下可提供稳定的电压输出，适用于需要精确电压控制的低功率电路中。该型号采用SOD-523F（DF2B）超小型封装，具有较小的尺寸和良好的热稳定性，适合高密度贴装的便携式电子设备和空间受限的应用场景。该器件符合RoHS环保要求，并具备无卤素（Halogen-free）特性，满足现代电子产品对环境友好材料的需求。
类型：齐纳二极管
齐纳电压（Vz）：7.5V（在Iz=5mA时）
容差：±2%
最大耗散功率：200mW
测试电流（Iz）：5mA
最大反向漏电流（Ir）：0.1μA（在Vr=6V时）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOD-523F（DF2B）
引脚数：2
极性：单齐纳
UDZVFHTE-177.5B具备优异的电压稳定性和温度特性，能够在宽温度范围内保持稳定的齐纳电压输出。其±2%的电压容差确保了在精密电路中的高精度表现，尤其适用于需要可靠电压基准的模拟电路和电源管理模块。该器件采用先进的芯片制造工艺，优化了动态阻抗（Zzt），在典型工作电流下表现出较低的交流阻抗，有助于抑制电压波动和噪声干扰，提升系统的整体稳定性。
该齐纳二极管的SOD-523F封装具有极小的占板面积（约1.0mm x 1.6mm），非常适合用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间要求极为严格的消费类电子产品。尽管封装微小，但其热设计仍能有效支持200mW的功率耗散，配合适当的PCB布局可实现良好的散热性能。此外，该器件具有快速响应特性，可用于瞬态电压保护场合，限制因静电放电（ESD）或开关噪声引起的电压尖峰。
ROHM在该系列产品中采用了高可靠性的制造流程，确保器件在长期运行中的稳定性和寿命。经过严格的老化筛选和可靠性测试，UDZVFHTE-177.5B可在恶劣环境下稳定工作，适用于工业控制、汽车电子外围电路等对可靠性要求较高的应用场景。其低漏电流特性在待机或低功耗模式下尤为突出，有助于降低系统静态功耗，延长电池供电设备的续航时间。
广泛应用于便携式电子设备中的电压参考源，如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机中的电源监控电路；用于运算放大器、ADC/DAC偏置电压的稳定供电；作为低压稳压电路中的稳压元件，适用于3.3V或5V供电系统的次级稳压；在接口电路中用于电压箝位，防止过压损坏后续IC；适用于消费类电子产品、工业传感器模块、家用电器控制板以及汽车电子中的辅助电源电路；也可作为基准电压源用于比较器电路或复位电路设计。
UDZS7.5B
True
