类型：射频功率MOSFET
　　封装类型：气腔陶瓷封装（Hermetic Ceramic Package）
　　晶体管类型：N沟道LDMOS
　　最大漏极电流（ID(max)）：25 A
　　最大漏极-源极电压（VDS(max)）：65 V
　　最大栅极-源极电压（VGS(max)）：±20 V
　　工作频率范围：50 MHz - 400 MHz
　　最大输出功率：125 W
　　增益：约20 dB（典型值）
　　效率：约65%
　　阻抗匹配：50Ω输入/输出
　　热阻（Rth）：0.5°C/W（结到壳）

MRF6401具有多项先进的性能特点，使其在高频、高功率放大应用中表现出色。首先，该器件采用LDMOS技术，能够在高频条件下提供高增益和高效率，同时保持良好的线性度，这对于减少信号失真至关重要。其次，MRF6401设计为气腔陶瓷封装，有效降低了寄生电容和电感，从而提升了高频性能，并增强了散热能力，确保在高功率条件下稳定运行。
　　此外，MRF6401具有宽频率响应范围（50 MHz至400 MHz），适用于多种射频应用，包括广播发射机、通信基站、工业加热设备和医疗射频设备。该器件支持连续波（CW）和脉冲工作模式，使其适用于雷达和测试设备等特殊应用场景。
　　在热管理和可靠性方面，MRF6401的热阻仅为0.5°C/W（结到壳），能够快速将热量传导至散热器，防止过热损坏。同时，其栅极结构具有较高的耐压能力（±20 V），增强了抗干扰能力，确保在复杂电磁环境中稳定工作。
　　最后，MRF6401的输入和输出阻抗均优化为50Ω，便于与射频电路匹配，减少了额外的匹配电路设计复杂度，降低了整体系统成本。其高功率输出（125 W）结合高效率（约65%），使其在功耗和散热方面具备良好的平衡。

MRF6401广泛应用于多种高频、高功率射频系统中。首先，它在广播发射机中作为主功率放大器，支持FM广播和电视广播的高功率输出，确保信号覆盖范围广且稳定。其次，在通信系统中，该器件可用于基站、无线接入点和中继器的射频前端模块，支持多种通信标准，如GSM、CDMA和LTE。
　　此外，MRF6401适用于工业和医疗设备，例如射频加热系统、等离子体发生器和医疗治疗设备，其中需要稳定、高功率的射频能量来实现加热、切割或消融等功能。该器件的高线性度也使其适用于测试与测量设备，如信号发生器和频谱分析仪，以确保测量精度。
　　在军事和航空航天领域，MRF6401也可用于雷达发射机和电子战系统，支持脉冲工作模式，提供高脉冲功率输出和快速响应能力。此外，该器件适用于业余无线电设备和高功率发射模块，满足射频爱好者和专业用户的高性能需求。

AFT05MS004N, MRF64025H, MRF64045H