GFF200E12 时间：2025/9/7 7:27:24 阅读：5

GFF200E12 是一款由 Fuji Electric（富士电机）制造的高功率 IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块，广泛用于工业电机驱动、变频器、电力调节系统等高功率应用场景。该模块集成了 IGBT 芯片和反并联二极管，具有高效、高可靠性和低损耗的特点。

参数

类型：IGBT模块
　　额定集电极-发射极电压(Vce)：1200V
　　额定集电极电流(Ic)：200A
　　导通压降(Vce_sat)：约2.1V（典型值）
　　最大工作温度：150℃
　　短路耐受能力：有
　　封装形式：双列直插式（Dual）
　　配置：单管（Single）
　　芯片技术：第6代 IGBT 和 RC-二极管

特性

GFF200E12 采用了富士电机的第6代 IGBT 芯片技术，具有优异的导通损耗和开关损耗平衡，适用于中高功率密度设计。模块内部集成 RC（反向导通）二极管，减少了外围电路设计的复杂性。
　　该模块具备良好的短路耐受能力，提升了系统在异常工况下的可靠性。同时，其封装设计支持快速散热，适合高频率开关应用。
　　热阻方面，模块的热阻较低，有助于提高散热效率，延长使用寿命。此外，该模块还具备较高的绝缘等级，支持安全可靠的运行。
　　模块的封装结构采用了环保材料，符合 RoHS 指令要求，适用于工业环保设计标准。

应用

GFF200E12 主要应用于工业变频器、伺服驱动器、电焊机、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、电动汽车充电设备等需要高功率、高效率、高可靠性的电力电子系统中。
　　其高耐压和大电流能力使其在中高功率电机控制领域表现优异，尤其适合需要频繁开关和复杂负载条件的工业自动化设备。
　　在新能源领域，如光伏逆变器和储能系统中，GFF200E12 也广泛用于功率转换和能量调节系统，为系统提供高效能和稳定性的保障。
　　由于其良好的热管理和可靠性设计，GFF200E12 也常用于轨道交通、智能电网和工业自动化控制等对安全性和稳定性要求极高的场合。