时间：2025/9/3 7:47:00
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MRF534 是一款由 Motorola（现为 NXP Semiconductors）设计的射频功率晶体管，主要用于高频功率放大应用。该器件采用硅 NPN 双极型晶体管结构，适用于 50 MHz 至 500 MHz 的频率范围，适用于广播、通信和工业射频设备。MRF534 以其高增益、高输出功率能力和良好的热稳定性著称，广泛用于调频广播和电视发射机等场合。
类型：NPN 双极型晶体管
最大集电极电流：15 A
最大集电极-发射极电压：65 V
最大集电极-基极电压：65 V
最大功耗：300 W
工作温度范围：-65°C 至 +150°C
封装类型：金属 TO-220 封装
频率范围：50 MHz - 500 MHz
输出功率：典型值为 150 W（在 175 MHz）
增益：25 dB（典型值，50 MHz 条件下）
MRF534 具备优异的射频功率放大性能，其主要特性包括高功率输出能力、高效率以及良好的线性度。该晶体管在 VHF 和 UHF 频段内具有稳定的增益表现，适用于高保真度的信号放大。其设计采用了高热导率材料，提高了散热效率，从而在高功率工作条件下保持较低的结温，延长器件寿命。此外，MRF534 在大信号输入条件下依然能保持良好的稳定性和低失真特性，适合用于高要求的广播和通信系统。
该晶体管还具备较高的抗过载能力，能够在短时间的过载或失配条件下正常工作而不发生损坏。其 TO-220 封装形式便于安装和散热，适用于多种射频功率放大器电路设计。MRF534 的驱动需求相对较低，能够在较低的激励功率下实现高效的输出功率转换，适合用于多级放大系统中的末级功率放大器。
MRF534 主要应用于调频广播发射机、电视发射机、射频加热设备、工业测试设备以及通信系统中的功率放大环节。它常用于 VHF 和 UHF 波段的发射系统，作为最终的功率放大级，提供高输出功率和良好的信号质量。此外，该晶体管也可用于射频激励器、无线通信基础设施以及业余无线电设备中。
MRF535、MRF536、BLF244、2N6081
