型号：K4G1032FG-HC04
　　制造商：Samsung（三星）
　　器件类型：GDDR3 SDRAM
　　存储容量：2Gb（512M x 32）
　　电压：1.5V / 1.35V（低电压版本）
　　封装形式：FBGA
　　引脚数：96-pin
　　工作温度范围：0°C 至 +95°C（结温）
　　最大时钟频率：800MHz（等效1600Mbps数据速率）
　　存取时间：约0.6ns（典型值）
　　组织结构：8 Banks, 13-bit行地址, 10-bit列地址
　　数据宽度：32位
　　刷新模式：自动刷新、自刷新
　　时序参数：CL=9, tRCD=9, tRP=9（具体依频率而定）
　　带宽：最高可达12.8GB/s（x32位接口）

K4G1032FG-HC04具备多项先进特性，使其成为高性能图形内存的理想选择。首先，它采用了GDDR3专用架构设计，相较于普通DDR3内存，具有更高的时钟频率支持能力和更优的信号完整性，能够在高频下保持稳定的读写操作。其内部采用差分时钟输入（CK/CK#），提高了时钟信号的抗干扰能力，并支持源同步数据传输方式，确保DQS（数据选通）信号与数据边沿对齐，从而实现精确的数据捕获。
　　其次，该芯片支持多种低功耗管理模式，包括自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）。在自刷新模式下，内存控制器可以关闭外部时钟以节省能耗，而芯片内部仍能维持数据不丢失，特别适用于移动设备或待机状态下的节能需求。此外，K4G1032FG-HC04还具备温度补偿自刷新（TCSR）功能，可根据芯片结温动态调整刷新周期，在高温环境下增强数据可靠性。
　　再者，其8 Bank的并行架构允许重叠的行激活、预充电和列访问操作，显著提升了整体内存利用率和连续数据流的吞吐率。突发长度支持4、8两种模式，可通过模式寄存器进行编程配置，适应不同的数据访问模式。为了提高系统稳定性，该器件集成了片内终端电阻（On-Die Termination, ODT），可在读写过程中动态启用终端匹配，减少信号反射和串扰，改善高速信号质量。
　　最后，K4G1032FG-HC04经过严格的工业级测试，具备高可靠性和长期供货保障，适用于对稳定性要求极高的专业图形处理系统。其FBGA封装具有优异的热传导性能和机械强度，便于在多层PCB上实现高密度布线，同时支持回流焊工艺，适用于大规模自动化生产。

K4G1032FG-HC04主要应用于需要高带宽和低延迟图形内存的电子系统中。最典型的用途是作为独立显卡的显存颗粒，广泛用于中高端桌面GPU模块，尤其是在AMD和NVIDIA早期发布的支持GDDR3的显卡产品中常见。这类显卡被用于个人电脑的游戏图形渲染、视频编辑、3D建模等高性能计算任务。
　　此外，该芯片也用于游戏主机中的图形子系统。例如，在索尼PlayStation 3和微软Xbox 360的部分型号中，GDDR3内存被用作统一内存架构的一部分，K4G1032FG-HC04或其兼容型号可能被集成于主板或GPU附近，承担图形与系统数据的高速交换任务。这种统一内存设计有助于减少数据复制开销，提升整体系统效率。
　　在嵌入式领域，K4G1032FG-HC04可用于工业图像处理设备、医疗成像系统、高清视频监控服务器以及航空电子显示系统等对实时图像处理能力有较高要求的场景。这些设备通常需要在有限功耗条件下维持长时间稳定运行，而该芯片的低功耗特性和工业级温度范围正好满足此类需求。
　　另外，一些高性能FPGA开发板或ASIC验证平台也会采用该类GDDR3芯片作为外部高速缓存，用于暂存大量中间计算结果或视频帧数据。由于其接口协议标准化程度高，配合Xilinx或Intel（原Altera）的IP核即可实现快速集成，缩短产品开发周期。

K4G1032FA-HC04
　　K4G1032FB-HC04
　　H5GQ1H24AFR-T21
　　MT41J128M16XX-15E