时间：2025/6/30 12:48:38
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SI4925BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay Siliconix 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术制造，具有极低的导通电阻和优化的开关性能。其封装形式为 ThinSOT? (SC-75)，适用于需要高效率和紧凑设计的应用场景。
该 MOSFET 的工作电压范围宽，能够承受高达 60V 的漏源电压，并且具备快速开关特性，使其非常适合于高频开关电源、负载开关、DC/DC 转换器以及电池供电设备中的功率管理电路。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：8.3A
导通电阻（典型值）：2.5mΩ
栅极电荷：8nC
输入电容：110pF
总功耗：1.3W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：ThinSOT? (SC-75)
1. 极低的导通电阻 Rds(on)（2.5mΩ 典型值），可以显著降低导通损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，减少死区时间和电磁干扰。
3. 小型化封装（ThinSOT? SC-75），节省 PCB 空间，适合便携式设备。
4. 高雪崩能量能力和坚固的设计，增强了在瞬态条件下的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 支持表面贴装工艺，便于自动化生产和组装。
7. 提供出色的热性能，有助于维持长期稳定运行。
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC/DC 转换器中的功率开关。
2. 手机、平板电脑和其他便携式电子设备中的负载开关。
3. 电池管理系统中的保护和控制功能。
4. 电机驱动和 LED 驱动中的功率调节。
5. 各类消费类电子产品中的高效功率转换方案。
6. 工业控制和通信设备中的电源管理模块。
SI4420DY, SI4417DY, SI4929DY
