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SI4925BDY-T1-GE3 发布时间 时间:2025/6/30 12:48:38 查看 阅读:4

SI4925BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay Siliconix 生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术制造,具有极低的导通电阻和优化的开关性能。其封装形式为 ThinSOT? (SC-75),适用于需要高效率和紧凑设计的应用场景。
  该 MOSFET 的工作电压范围宽,能够承受高达 60V 的漏源电压,并且具备快速开关特性,使其非常适合于高频开关电源、负载开关、DC/DC 转换器以及电池供电设备中的功率管理电路。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:8.3A
  导通电阻(典型值):2.5mΩ
  栅极电荷:8nC
  输入电容:110pF
  总功耗:1.3W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:ThinSOT? (SC-75)

特性

1. 极低的导通电阻 Rds(on)(2.5mΩ 典型值),可以显著降低导通损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关能力,支持高频操作,减少死区时间和电磁干扰。
  3. 小型化封装(ThinSOT? SC-75),节省 PCB 空间,适合便携式设备。
  4. 高雪崩能量能力和坚固的设计,增强了在瞬态条件下的可靠性。
  5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  6. 支持表面贴装工艺,便于自动化生产和组装。
  7. 提供出色的热性能,有助于维持长期稳定运行。

应用

1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC/DC 转换器中的功率开关。
  2. 手机、平板电脑和其他便携式电子设备中的负载开关。
  3. 电池管理系统中的保护和控制功能。
  4. 电机驱动和 LED 驱动中的功率调节。
  5. 各类消费类电子产品中的高效功率转换方案。
  6. 工业控制和通信设备中的电源管理模块。

替代型号

SI4420DY, SI4417DY, SI4929DY

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SI4925BDY-T1-GE3参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C25 毫欧 @ 7.1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs50nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)