SI4925BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay Siliconix 生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术制造,具有极低的导通电阻和优化的开关性能。其封装形式为 ThinSOT? (SC-75),适用于需要高效率和紧凑设计的应用场景。
该 MOSFET 的工作电压范围宽,能够承受高达 60V 的漏源电压,并且具备快速开关特性,使其非常适合于高频开关电源、负载开关、DC/DC 转换器以及电池供电设备中的功率管理电路。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:8.3A
导通电阻(典型值):2.5mΩ
栅极电荷:8nC
输入电容:110pF
总功耗:1.3W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:ThinSOT? (SC-75)
1. 极低的导通电阻 Rds(on)(2.5mΩ 典型值),可以显著降低导通损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力,支持高频操作,减少死区时间和电磁干扰。
3. 小型化封装(ThinSOT? SC-75),节省 PCB 空间,适合便携式设备。
4. 高雪崩能量能力和坚固的设计,增强了在瞬态条件下的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
6. 支持表面贴装工艺,便于自动化生产和组装。
7. 提供出色的热性能,有助于维持长期稳定运行。
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC/DC 转换器中的功率开关。
2. 手机、平板电脑和其他便携式电子设备中的负载开关。
3. 电池管理系统中的保护和控制功能。
4. 电机驱动和 LED 驱动中的功率调节。
5. 各类消费类电子产品中的高效功率转换方案。
6. 工业控制和通信设备中的电源管理模块。
SI4420DY, SI4417DY, SI4929DY