时间：2025/9/3 9:29:52
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MRF5174 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款高功率射频晶体管，属于LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术的射频功率晶体管系列。这款器件主要用于高频率通信系统中的射频功率放大器应用，尤其是在蜂窝基站、无线基础设施和广播设备中具有广泛的应用。MRF5174 能够在1.8 GHz至2.7 GHz的频率范围内高效运行，提供高达120W的连续波（CW）输出功率，适用于各种无线通信标准，如GSM、CDMA、W-CDMA和LTE等。
类型：LDMOS RF功率晶体管
频率范围：1.8 GHz - 2.7 GHz
输出功率（CW）：120W
漏极电压：最大28V
工作电流：最大6.5A
封装类型：AB类功率晶体管，采用TO-247封装
增益：典型值为18dB
效率：典型值为35%
热阻（Rth）：结到壳热阻为0.35°C/W
工作温度范围：-65°C至+150°C
MRF5174 是一款性能优越的射频功率晶体管，具有高输出功率、高增益和良好的效率。该器件在1.8 GHz至2.7 GHz频段内表现出色，能够提供高达120W的连续波输出功率，适用于多标准蜂窝基站和无线基础设施。其LDMOS结构使其在高频率下依然保持良好的线性度和稳定性，适合用于高数据速率的通信系统。
MRF5174 的高效率（典型值为35%）有助于减少功耗和热量产生，从而提高系统可靠性和降低冷却需求。此外，该晶体管具有出色的热管理性能，其结到壳热阻仅为0.35°C/W，使得在高功率运行时仍能保持较低的结温，延长器件寿命。
该器件采用TO-247封装，便于安装和散热管理，适合用于高功率密度设计。MRF5174 的AB类工作模式使其能够在保持较高效率的同时实现良好的线性输出，适用于需要高信号保真的应用场合。
MRF5174 主要用于无线通信基础设施中的射频功率放大器设计，包括蜂窝基站、中继器、微波链路和广播设备等。该器件适用于多种无线通信标准，如GSM、CDMA、W-CDMA和LTE等，在2G、3G和4G网络中均有广泛应用。此外，MRF5174 也适用于测试设备、工业控制系统和高功率射频信号源等应用领域。
MRF5175, MRF5176, BLF574
