类型：齐纳二极管
　　封装：SOD323
　　极性：单齐纳
　　标称齐纳电压：8.2 V
　　容差：±5%
　　最大耗散功率：500 mW
　　最大正向电流：200 mA
　　最大反向漏电流：1 μA（典型值，低于击穿电压时）
　　动态阻抗：≤20 Ω（在测试条件下）
　　工作结温范围：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C

PTZ8.2A齐纳二极管具备优异的电压稳定性能，其核心特性之一是能够在宽泛的工作电流范围内维持非常稳定的输出电压。该器件的标称齐纳电压为8.2V，在额定测试电流下具有±5%的电压容差，确保了在批量应用中的一致性和可预测性。其低动态阻抗（通常小于20Ω）意味着当通过器件的电流发生波动时，输出电压的变化极小，这对于需要高精度参考电压的应用至关重要，例如模数转换器（ADC）或数模转换器（DAC）的偏置电路。
　　该器件采用SOD323封装，体积小巧，仅约1.7mm × 1.25mm × 1.0mm，非常适合用于便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及各种紧凑型工业控制模块。这种表面贴装封装不仅节省PCB空间，还支持自动化高速贴片工艺，提升了生产效率和产品一致性。同时，SOD323封装具有良好的热传导能力，能够在有限的空间内有效散热，保障器件长期稳定运行。
　　PTZ8.2A具有出色的温度稳定性，其电压温度系数经过优化设计，在常见工作温度范围内（如-40°C至+125°C）表现出较小的漂移。这使其适用于环境温度变化较大的应用场景，如汽车电子或户外通信设备。此外，该器件反向漏电流极低（典型值仅为1μA），在未达到击穿电压前几乎不导通，有助于降低待机功耗，提高系统能效。
　　在可靠性方面，PTZ8.2A通过了严格的工业级认证测试，包括高温反向偏置寿命试验、温度循环测试和湿度敏感度等级评估（MSL1），确保其在恶劣环境下仍能可靠工作。其最大功耗可达500mW，允许在一定范围内承受瞬态过载。综合来看，PTZ8.2A是一款高性能、高可靠性的稳压二极管，适用于多种精密电子系统的设计需求。

PTZ8.2A广泛应用于各类需要稳定参考电压或进行电压钳位的电子电路中。常见用途包括电源电压监控电路，在微控制器或FPGA系统中作为复位信号生成的基础元件，当供电电压低于设定阈值（如8.2V）时触发复位动作，确保系统安全启动。它也可用于模拟前端电路中，为运算放大器、比较器或传感器接口提供精准的偏置电压源，提升测量精度和系统稳定性。
　　在DC-DC转换器或LDO稳压器反馈网络中，PTZ8.2A可用作分压反馈路径的一部分，帮助调节输出电压。虽然更精密的应用可能使用专用电压基准芯片，但在成本敏感或空间受限的设计中，PTZ8.2A是一个经济高效的替代方案。此外，该器件常被用作静电放电（ESD）保护和瞬态电压抑制（TVS）功能的补充元件，与其他保护器件配合使用，限制输入线路的峰值电压，防止下游集成电路受损。
　　在电池供电设备中，PTZ8.2A可用于电池电压检测电路，判断电池是否处于正常工作范围。例如在8V左右供电系统中，利用该二极管的击穿特性设计简单的欠压或过压告警机制。它也适用于信号电平转换电路中，将较高电压信号安全地耦合到低压逻辑器件输入端，避免损坏CMOS结构。
　　其他典型应用还包括工业控制模块、通信接口保护（如RS-232、CAN总线）、消费类音频设备中的噪声抑制电路以及汽车电子中的辅助电源监测单元。由于其小型化封装和高可靠性，特别适合部署在车载信息娱乐系统、车身控制模块或车载充电管理单元中。总之，PTZ8.2A凭借其稳定的电气特性和紧凑的物理尺寸，成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。

BZT52C8V2 SOD323
　　MMSZ82T1G SOD323
　　PMEZ8V2 SOD323
　　ZMM8V2 SOD123