型号：MM3047JRRE
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-30V
　　最大连续漏极电流（ID）：-4.4A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：-12A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻RDS(on)：45mΩ @ VGS = -10V, ID = -2.2A
　　导通电阻RDS(on)：60mΩ @ VGS = -4.5V, ID = -2.2A
　　导通电阻RDS(on)：75mΩ @ VGS = -2.5V, ID = -1.5A
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容（Ciss）：520pF @ VDS=15V, VGS=0V
　　输出电容（Coss）：190pF @ VDS=15V, VGS=0V
　　反向传输电容（Crss）：50pF @ VDS=15V, VGS=0V
　　栅极电荷（Qg）：12nC @ VGS=10V
　　功耗（PD）：1W（Tamb=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23

MM3047JRRE采用先进的沟槽结构工艺，实现了极低的导通电阻RDS(on)，从而显著降低了在导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效。这种低RDS(on)特性尤其适用于大电流开关应用，能够有效减少发热并提升系统稳定性。其P沟道设计允许在高端开关配置中使用，无需复杂的自举电路或电荷泵驱动，简化了电源管理系统的设计复杂度。该器件具有快速的开关响应能力，得益于较低的栅极电荷（Qg）和寄生电容，使得它在高频开关操作中表现出色，适用于DC-DC转换器、负载开关和电机控制等动态负载场景。
　　另一个关键特性是其宽泛且兼容性强的栅极驱动电压范围。MM3047JRRE可在低至-2.5V的栅源电压下实现有效的导通，这意味着它可以与3.3V、2.5V甚至1.8V逻辑信号直接配合工作，非常适合现代低电压微控制器和数字信号处理器的I/O输出电平。这种低压驱动能力不仅提升了系统的集成度，还减少了对外部驱动电路的需求，有助于降低整体BOM成本。
　　器件的热性能也经过优化，在SOT-23封装下仍能提供良好的散热能力，结合1W的最大功耗规格，能够在有限的空间内可靠运行。同时，其高雪崩能量耐受能力和内置的体二极管为感性负载切换提供了额外保护，增强了系统的鲁棒性。MM3047JRRE还具备优良的抗静电（ESD）能力，并通过了严格的可靠性测试，确保在恶劣环境条件下的长期稳定运行。所有这些特性共同使MM3047JRRE成为高性能、小尺寸电源开关应用的理想选择。

MM3047JRRE主要用于各类需要高效、紧凑型P沟道MOSFET的电源管理电路中。典型应用包括便携式电子设备中的电池供电开关和负载切换控制，例如智能手机和平板电脑中的背光电源控制、外设电源门控以及电池充放电路径管理。在DC-DC转换器拓扑中，它常被用作同步整流器或高端开关元件，尤其是在降压（Buck）转换器中，利用其低导通电阻来提高转换效率并减少热量产生。
　　此外，该器件广泛应用于各种过压/过流保护电路、热插拔控制器和电源多路复用器中，能够快速响应控制信号，实现对电源路径的精确通断控制。在工业控制领域，MM3047JRRE可用于小型电机驱动、继电器驱动电路以及传感器模块的电源管理单元，提供可靠的开关功能。由于其具备良好的温度稳定性和抗干扰能力，也可用于汽车电子中的非动力系统，如车载信息娱乐系统、LED照明控制和车内USB充电模块。
　　在消费类电子产品中，诸如数码相机、电子书阅读器、蓝牙耳机和智能家居设备中，MM3047JRRE因其小型封装和高集成度而备受青睐。它还可用于USB电源开关，防止设备短路或过载时损坏主电源。总体而言，凡是需要一个小型、高效、易于驱动的P沟道MOSFET进行电源通断控制的场合，MM3047JRRE都是一个极具竞争力的选择。

AOD403
　　Si4437DY
　　FDG330N
　　DMG3415U