RF3300-2TR13 是一款由 RF Micro Devices(现为 Qorvo)制造的射频(RF)功率晶体管,广泛用于射频放大器和无线通信系统中。该器件采用先进的 GaAs(砷化镓)技术制造,具备高功率输出、高效率和良好的线性性能,适用于多种高频应用。
类型:射频功率晶体管
材料:GaAs(砷化镓)
频率范围:2.4 GHz - 2.5 GHz
输出功率:典型值为 30 W(45 dBm)
增益:典型值为 10 dB
效率:典型值为 40%
工作电压:+28 V
封装类型:表面贴装(SMT)
封装尺寸:符合行业标准
热阻:符合数据手册规范
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
RF3300-2TR13 具备一系列优异的电气和热性能,使其在射频功率放大器应用中表现出色。首先,该器件采用 GaAs 技术制造,能够在高频范围内提供稳定的性能,特别适用于 2.4 GHz 至 2.5 GHz 的 ISM(工业、科学和医疗)频段。其典型输出功率为 30 W(45 dBm),能够满足高功率射频放大需求。此外,RF3300-2TR13 的典型增益为 10 dB,确保信号在放大过程中保持较高的信噪比和较低的失真。该器件的效率约为 40%,有助于降低功耗并提高系统的整体能效。
该功率晶体管采用表面贴装封装(SMT),便于自动化生产和高密度电路设计。其封装设计优化了散热性能,确保在高功率运行时仍能保持良好的稳定性。RF3300-2TR13 的工作电压为 +28 V,适用于多种射频电源系统。该器件的热阻参数符合行业标准,能够在 -40°C 至 +85°C 的宽温度范围内稳定工作,适用于各种恶劣环境条件下的应用。
此外,RF3300-2TR13 在设计上具备良好的线性性能,可减少信号失真,提高通信系统的信号质量。其高稳定性和可靠性使其成为无线通信、Wi-Fi、点对点微波通信、工业射频加热等应用的理想选择。
RF3300-2TR13 广泛应用于需要高功率和高效率的射频系统中。例如,在无线通信基站中,该器件可用于功率放大器模块,提供稳定的射频信号输出。此外,它也适用于 ISM 频段设备,如射频加热器、医疗设备和无线传感器网络。在 Wi-Fi 6 和 5G 通信系统中,RF3300-2TR13 可用于提升信号传输的稳定性和覆盖范围。同时,该器件还可用于测试和测量设备、军事通信系统以及广播发射器等高要求的射频应用场景。
RF3300-2TR7, MRF6V23000H, CLY6-3MH