时间：2025/9/3 15:19:28
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MRF466 是一款由 Motorola（现为 On Semiconductor）推出的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高频和高功率应用设计。该器件通常用于射频（RF）功率放大器、工业加热、无线电通信设备以及测试设备等领域。MRF466 具备良好的热稳定性和高耐压特性，能够承受较大的工作电流和电压波动，适合在高温和高功率环境下工作。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：500V
最大漏极电流（Id）：10A
最大栅源电压（Vgs）：±30V
导通电阻（Rds(on)）：约 0.45Ω
最大功耗（Ptot）：200W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-204AA（金属封装，有利于散热）
MRF466 以其优异的高频性能和强大的功率处理能力而著称。该器件采用了先进的硅工艺技术，具备较低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通损耗，提高了效率。此外，MRF466 的封装设计有助于快速散热，确保器件在高功率工作时保持稳定。
其高频特性使其适用于高达 UHF（特高频）频段的射频功率放大器。该 MOSFET 还具有良好的线性度和低失真性能，适合用于音频和通信系统中的高保真放大电路。
在可靠性方面，MRF466 具备较强的抗过载能力，能够承受瞬态高压和大电流冲击，适用于需要长期稳定运行的工业和通信设备。
MRF466 常用于射频功率放大器、工业加热设备、开关电源、音频放大器以及高频逆变器等应用。在无线通信系统中，它被广泛用于基站、广播发射器和测试仪器中的功率放大级。此外，该器件还可用于高频焊接、感应加热等工业控制和功率转换系统中。
MRF467, MRF468, IRF350, IRF450
