类型：ESD保护二极管阵列
　　通道数：2通道
　　工作电压（VRWM）：9V
　　击穿电压（VBR）：10V（最小值）
　　峰值脉冲电流（IPP）：2A（8/20μs波形）
　　钳位电压（VC）：15V（典型值，IPP = 2A时）
　　电容值（Cj）：3pF（典型值，f = 1MHz, V = 0V）
　　漏电流（IR）：1μA（最大值，T = 25°C）
　　封装形式：SOT753（也称为SC-88A或SOT-363）
　　极性：双向
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　符合标准：IEC 61000-4-2（Level 4，±8kV接触放电，±15kV空气放电）

PUMD9.115的最显著特性之一是其超低结电容，典型值仅为3pF，这一特性使其成为高速信号线路保护的理想选择。在现代便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑，数据传输速率不断提升，对信号完整性的要求也愈加严格。传统的TVS二极管可能因较高的寄生电容导致信号反射、上升时间延迟或眼图闭合等问题，而PUMD9.115凭借其极低的电容表现，能够在不影响高频信号质量的前提下提供有效的ESD防护。此外，该器件具有快速响应能力，能够在纳秒级别内将瞬态过电压钳制到安全水平，防止敏感的下游集成电路（如收发器、处理器或传感器）受到损坏。
　　另一个关键特性是其双向电压保护能力。PUMD9.115的每个通道均可承受正向和负向的瞬态电压冲击，适用于交流耦合或双极性信号线路，例如USB D+ / D- 差分对、I2C总线、SD卡接口等。这种双向设计简化了电路布局，无需考虑极性方向错误的问题，提高了生产装配的容错率。同时，器件的低钳位电压（约15V）意味着在发生ESD事件时，传递到后级芯片的残压较低，进一步提升了系统的可靠性。
　　PUMD9.115还具备良好的热稳定性和长期耐久性。其采用先进的硅基PN结工艺制造，能够在多次ESD冲击后仍保持性能稳定，不会因老化而导致保护能力下降。此外，SOT753小型封装不仅节省PCB空间，还具有优良的散热性能，有助于在高密度布局中维持热平衡。该器件支持高集成度设计，允许在同一电路板上部署更多功能模块而不牺牲保护性能。整体而言，PUMD9.115结合了高性能、小尺寸与高可靠性，广泛应用于消费类电子、工业控制及通信设备中的接口保护方案。

PUMD9.115主要用于各类需要静电放电保护的高速模拟与数字信号接口。典型应用场景包括便携式消费电子产品中的USB 2.0数据线保护，其中D+和D-信号线易受用户插拔过程中产生的静电影响，使用PUMD9.115可有效防止ESD损坏主控芯片或电源管理单元。此外，在高清音视频接口如HDMI、DisplayPort或MIPI DSI/CSI链路中，该器件因其低电容特性而被广泛采用，确保高速信号传输不受干扰的同时提供必要的浪涌防护。音频耳机插孔也是一个常见的应用位置，由于用户频繁插拔耳机可能导致高达数千伏的静电放电，PUMD9.115能够在此类节点上构建第一道防线，保护音频编解码器免受损坏。
　　在通信设备领域，PUMD9.115可用于以太网PHY接口、RS-232串行端口或CAN总线等信号线路的辅助保护，尤其是在非主防护层级（如二级或三级保护）中作为精细保护元件使用。在工业自动化系统中，传感器信号输入端、触摸屏控制器连接线以及人机界面（HMI）模块也常集成此类ESD保护器件，以应对复杂电磁环境下的瞬态干扰。此外，由于其符合RoHS和无卤素标准，PUMD9.115适用于出口型电子产品和对环保要求严格的项目，满足全球市场的合规需求。总而言之，任何存在暴露接口且面临ESD风险的电子系统都可以从PUMD9.115的部署中受益，尤其适合对空间、信号完整性与可靠性有综合要求的设计场景。

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