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V47ZS1P 发布时间 时间:2025/12/26 21:55:23 查看 阅读:13

V47ZS1P是一款齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和过压保护电路中。该器件的命名通常遵循行业标准,其中'V47'表示其标称齐纳电压为47V,'ZS'可能代表产品系列或封装类型,而'1P'可能指示其功率等级或特定厂商的型号后缀。这类二极管工作在反向击穿区域,能够在宽范围的反向电流下维持一个相对稳定的电压,从而为敏感电路提供稳压功能。V47ZS1P常用于电源管理、信号调理以及需要精确参考电压的应用场景中。由于其较高的齐纳电压值,适用于高压稳压需求的场合。该器件具有良好的温度稳定性和响应速度,适合在工业控制、通信设备及消费类电子产品中使用。制造工艺上采用平面扩散技术,确保了器件的高可靠性和一致性。封装形式通常为小型塑料封装,如DO-35或类似尺寸,便于在PCB上进行通孔或表面贴装。在实际应用中,需配合限流电阻使用以防止过热损坏。此外,设计时还需考虑功耗、最大允许电流及环境温度对稳压精度的影响。

参数

类型:齐纳二极管
  标称齐纳电压:47V
  容差:±5%
  最大耗散功率:1W
  工作温度范围:-65°C 至 +175°C
  封装形式:DO-35
  测试电流:1mA
  动态电阻:≤20Ω @ 1mA
  温度系数:+2mV/°C

特性

V47ZS1P作为一款高压齐纳二极管,具备出色的电压稳定性能和可靠性,广泛应用于各种需要精确电压基准或过压保护的电子系统中。其核心特性之一是在反向击穿区域能够保持高度稳定的输出电压,即使在输入电压波动或负载变化的情况下也能有效维持设定的47V齐纳电压。这种稳定性得益于其精密的半导体制造工艺和严格的参数控制。器件的电压容差为±5%,意味着实际击穿电压可在44.65V至49.35V之间,满足大多数中等精度稳压需求。在典型测试条件下,当通过1mA的测试电流时,能够准确触发并进入稳压状态。该器件的最大功耗为1W,使其能够在一定范围内承受较高的能量消耗而不发生永久性损伤,但设计时仍需合理配置外部限流元件以避免长时间超负荷运行。
  V47ZS1P具有较低的动态阻抗(≤20Ω),这表明其对电流变化的响应非常灵敏,能够在电流微小变动时仍保持电压的平稳输出,减少纹波和噪声的影响。这一特性对于模拟电路中的参考源尤为重要。同时,其正向温度系数约为+2mV/°C,说明随着温度升高,齐纳电压会略有上升,这一行为在高温环境下有助于补偿其他元器件的负温度漂移,提升整体系统的温度适应能力。工作温度范围宽达-65°C至+175°C,使该器件适用于极端环境下的工业、汽车或航空航天应用。采用DO-35封装不仅体积小巧,还具备良好的散热性能和电气绝缘性,适合高密度电路布局。此外,该器件响应速度快,能迅速抑制瞬态过电压,提供有效的电路保护功能。

应用

V47ZS1P齐纳二极管主要应用于需要高压稳压或电压钳位的电子电路中。常见用途包括开关电源中的反馈回路电压参考,用于调节输出电压的稳定性;在直流电源模块中作为过压保护元件,防止因电压异常升高而损坏后续电路;也可用作浪涌抑制器,在雷击或电感放电等瞬态高压事件中吸收多余能量,保障系统安全。在测量与检测设备中,该器件可作为高阻抗电压基准源,为ADC或比较器提供稳定的参考电平。此外,在工业控制系统中,V47ZS1P可用于PLC输入模块的信号调理电路,将不同等级的现场信号钳位于安全范围内。在通信设备中,它可被集成于接口保护电路中,防止静电放电(ESD)或线路感应高压对敏感芯片造成损害。由于其工作电压较高,也适用于某些高压偏置电路或光电探测器的供电稳压。在汽车电子领域,尽管并非专为车载环境设计,但在辅助电源或诊断工具中仍可找到其应用实例。总之,凡是有高压稳压、电压限制或基准源需求的场合,V47ZS1P都是一种经济且可靠的解决方案。

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V47ZS1P参数

  • 产品培训模块Metal Oxide Varistors
  • 标准包装1,000
  • 类别过电压,电流,温度装置
  • 家庭TVS - 变阻器,MOV
  • 系列ZS
  • 变阻器电压52V
  • 电流 - 浪涌250A
  • 电路数1
  • 最大交流电压30VAC
  • 最大直流电压38VDC
  • 能量1.8J
  • 封装/外壳圆盘 7mm
  • 其它名称V47ZS1P-ND