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MRF33P39 发布时间 时间:2025/9/3 12:19:48 查看 阅读:8

MRF33P39是一款由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)生产的射频功率晶体管,主要用于高功率射频放大器应用。该器件采用先进的LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)技术,提供高效率、高增益和良好的线性性能。MRF33P39特别适用于工业、科学和医疗(ISM)频段,以及广播和通信设备中的功率放大器设计。该晶体管能够在较高的频率范围内工作,具备出色的热稳定性和可靠性,适用于连续波(CW)和脉冲操作模式。

参数

类型:射频功率晶体管
  技术:LDMOS
  最大漏极电流(ID):1.2 A
  最大漏极电压(VD):65 V
  输出功率(CW):33 W
  频率范围:DC至4 GHz
  增益:约20 dB
  效率:约65%
  封装类型:TO-240AB
  工作温度范围:-65°C至+150°C
  热阻(Rth):1.2°C/W

特性

MRF33P39射频功率晶体管具有多项显著的性能特点,使其在高功率射频应用中表现出色。首先,该器件基于LDMOS技术,具有高效率和高增益特性,能够有效降低功耗并提高放大器的整体性能。其次,MRF33P39支持高达4 GHz的工作频率,适用于多种射频应用,包括无线基础设施、广播设备和测试仪器。此外,该晶体管在连续波(CW)和脉冲模式下均能稳定工作,具备良好的线性度,有助于减少信号失真,提高通信质量。其坚固的封装设计和优异的热管理能力,使得MRF33P39能够在恶劣的环境条件下保持稳定运行。最后,该器件的宽工作温度范围使其适用于工业级应用,并确保在极端温度下的可靠性能。
  MRF33P39还具有良好的输入匹配特性,减少了对外部匹配电路的依赖,简化了电路设计。其内部结构优化了功率回退性能,使其在不同功率水平下仍能保持高效率。此外,MRF33P39具备较高的抗失真能力,适用于要求高质量信号传输的系统,如数字广播和无线通信设备。其高耐用性和稳定性也使其成为科研和工业应用中的理想选择。

应用

MRF33P39广泛应用于多个领域,包括但不限于工业、科学和医疗(ISM)频段的射频功率放大器、广播发射机、无线通信系统、测试与测量设备以及各种高功率射频加热和等离子体生成设备。该器件特别适用于需要高线性度和高效率的系统,例如数字广播、软件定义无线电(SDR)、宽带通信设备和射频能量应用。由于其良好的稳定性和宽频率响应,MRF33P39也可用于科研和教育领域的实验设备中。

替代型号

MRF34P40, MRF35P50, BLF881, CLF3A33040V, AFT04WP07CN

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