时间：2025/7/17 20:58:01
阅读：8
UDM35TRXSXR2LTX 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的功率MOSFET器件，主要用于高效率电源管理和开关应用。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，具备较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适用于多种工业和消费类电子设备。
型号：UDM35TRXSXR2LTX
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流：35A
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：约9.5mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：PowerFLAT 5x6
UDM35TRXSXR2LTX的主要特性之一是其非常低的导通电阻，这使得它在高电流应用中具有优异的能效表现。由于采用先进的沟槽栅极设计，该器件能够显著降低开关损耗，提高整体系统效率。
此外，UDM35TRXSXR2LTX具有较高的热稳定性，能够在严苛的工作环境下保持可靠运行。其紧凑的PowerFLAT封装不仅节省空间，还提供了良好的散热性能，适合高密度电路板布局。
该器件还具备较强的抗过载能力和较高的短路耐受性，有助于提升系统的稳定性和安全性。它的栅极驱动要求相对较低，兼容常见的逻辑电平，便于与各种控制电路集成。
UDM35TRXSXR2LTX的设计使其适用于广泛的功率管理应用，包括DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等。
UDM35TRXSXR2LTX广泛应用于需要高效功率控制的电子设备中。典型的应用场景包括高性能电源供应器、DC-DC转换模块、电动工具、电动车控制器、照明系统以及工业自动化设备中的电机驱动部分。
此外，该器件也常用于消费类电子产品，如笔记本电脑和平板电脑中的电源管理系统，以提高能源利用效率并延长电池续航时间。
STL35N60M5, FDP35N60, IPW60R009SI
