晶体管类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大耗散功率（PD）：300mW
　　直流电流增益（hFE）：110-800（取决于测试条件）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-23

BC417143B-GIRN-E4晶体管具有多项显著特性，使其在多种电子应用中表现出色。首先，该晶体管的最大集电极-发射极电压（VCEO）为50V，能够承受较高的电压应力，适用于中等电压应用。其次，最大集电极电流为100mA，足以满足大多数中等功率需求。此外，该晶体管的耗散功率为300mW，确保在工作过程中能够有效散热，延长器件的使用寿命。
　　BC417143B-GIRN-E4的直流电流增益（hFE）范围为110至800，具体数值取决于测试条件。这种宽泛的增益范围使得该晶体管适用于多种放大电路配置，能够根据具体应用需求选择合适的偏置点。此外，该晶体管的过渡频率（fT）为100MHz，使其在高频应用中表现出良好的性能，适用于射频（RF）和中频（IF）放大器等高频电路。
　　该晶体管的工作温度范围为-55°C至150°C，使其能够在极端温度环境下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子等对环境适应性要求较高的应用。SOT-23封装不仅体积小巧，还具备良好的热管理和电气性能，适合高密度PCB布局和自动化生产流程。此外，BC417143B-GIRN-E4的制造工艺符合RoHS标准，确保其在环保要求较高的应用中具备合规性。

BC417143B-GIRN-E4晶体管广泛应用于多个领域。在消费类电子产品中，该晶体管可用于音频放大器、电源管理电路以及逻辑门电路中的开关元件。例如，在便携式电子设备中，BC417143B-GIRN-E4可用于驱动LED背光或作为信号放大器，以提高设备的能效和稳定性。
　　在工业控制系统中，该晶体管可应用于传感器接口电路、继电器驱动器以及电机控制电路。由于其较高的工作温度范围和良好的稳定性，BC417143B-GIRN-E4能够在工业环境中可靠运行，提供稳定的性能。
　　此外，BC417143B-GIRN-E4也适用于汽车电子系统，如车载娱乐系统、车身控制模块和传感器接口电路。其高可靠性和环境适应性使其成为汽车电子应用中的理想选择。
　　在通信设备中，该晶体管可用于射频（RF）和中频（IF）放大器，提供良好的高频响应和稳定性。由于其100MHz的过渡频率，BC417143B-GIRN-E4能够在高频电路中表现出色，确保信号的高效传输和处理。

BC417143B-GIRN-E4的替代型号包括BC417143B-GIRN、BC417143B-GIRN-E4R、BC417143B-GIRN-E4R2。