时间：2025/9/13 23:48:29
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PBLS1502Y,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的双 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用小型无引脚封装（TSSOP）。该器件设计用于高效率、高频开关应用，适合用于负载开关、DC-DC 转换器以及电源管理电路中。由于其低导通电阻和小型封装，PBLS1502Y,115 非常适合空间受限的便携式电子设备和高密度电路设计。
类型：MOSFET（双N沟道）
漏源电压(VDS)：20V
栅源电压(VGS)：±12V
连续漏极电流(ID)：5.3A（最大）
导通电阻(RDS(on))：38mΩ（典型值，VGS=4.5V）
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TSSOP
PBLS1502Y,115 具备多项关键特性，使其在各种电源管理应用中表现出色。
首先，该器件的双N沟道MOSFET结构使其在一个封装内集成两个独立的晶体管，有助于减少PCB面积和组件数量，提高设计的紧凑性。其次，其导通电阻仅为38mΩ（典型值，在VGS=4.5V时），可以显著降低导通损耗，提高能效。此外，PBLS1502Y,115 的最大漏极电流为5.3A，支持在中等功率负载下稳定运行。
在封装方面，TSSOP 封装不仅体积小巧，而且具有良好的热性能，有助于快速散热，确保器件在高电流工作条件下的可靠性。该器件的栅极驱动电压范围较宽（最高为+12V），支持与多种控制器和驱动器的兼容性，同时具备较高的开关速度，适合高频应用。
此外，PBLS1502Y,115 还具备良好的温度稳定性，在-55°C至150°C的宽温度范围内均可稳定运行，适用于各种工业和消费类电子产品。
PBLS1502Y,115 主要用于需要高效能和小尺寸设计的电源管理系统中。典型应用包括电池供电设备中的负载开关、DC-DC转换器、同步整流器、电源管理单元（PMU）以及热插拔电路。此外，它也广泛用于便携式设备如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、电源适配器和LED照明系统。由于其双MOSFET集成特性，该器件也可用于H桥电路、电机驱动和负载切换应用。
Si3442DV-T1-GE3, BSS138K, PMV45EN, FDS6675CZ
