STP130NS04ZB 时间：2025/5/13 17:00:58 阅读：3

STP130NS04ZB是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用了先进的MDmesh技术，具有低导通电阻和高效率的特点，广泛适用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等应用领域。
　　这款MOSFET的主要特点是其较低的导通电阻（Rds(on)），能够在高频工作条件下减少功率损耗，并且具备良好的热稳定性和可靠性。

参数

最大漏源电压：40V
　　最大漏极电流：130A
　　导通电阻（Rds(on)）：2.5mΩ
　　栅极电荷：65nC
　　总电容（Ciss）：3800pF
　　结温范围：-55℃至175℃

特性

STP130NS04ZB采用MDmesh IV技术制造，能够显著降低导通电阻的同时保持较高的击穿电压。
　　其低栅极电荷设计有助于提升开关性能，减少开关损耗。
　　该器件还具备快速恢复二极管功能，使其在高频开关应用中表现优异。
　　此外，STP130NS04ZB具有较强的雪崩能力，确保在异常情况下也能安全工作。
　　该产品封装形式为TO-247，适合大功率应用场景。

应用

STP130NS04ZB主要应用于工业及消费电子领域，例如高效能开关电源（SMPS）、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电动工具、电机驱动以及电动汽车中的各种电路。
　　它特别适合需要处理大电流和高频工作的场合，比如同步整流、负载切换和电池管理系统等应用。
　　由于其出色的散热特性和可靠性，该MOSFET也常用于高功率密度的设计中。