类型：射频功率晶体管
　　晶体管类型：PNP双极型晶体管（BJT）
　　最大集电极电流（Ic）：1.5 A
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：65 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：65 V
　　最大功耗（Ptot）：150 W
　　工作温度范围：-65°C至+200°C
　　频率范围：最高可达500 MHz
　　增益（hfe）：典型值为50（在Ic=0.75 A，Vce=2 V条件下）
　　封装类型：TO-240AB
　　引脚数：3
　　材料：硅（Si）

MRF284C是一款专为射频功率放大应用设计的高性能晶体管。其主要特性之一是能够在高频条件下（最高达500 MHz）保持良好的放大性能和稳定性。这使其非常适合用于ISM频段的射频能量系统。该器件的封装形式为TO-240AB，具有良好的散热性能，能够有效管理高功率操作时的热量积累，从而提高器件的可靠性和寿命。
　　该晶体管的最大集电极电流为1.5 A，最大集电极-发射极电压为65 V，确保其在高电压和高电流条件下仍能稳定运行。此外，MRF284C的最大功耗为150 W，表明其具有较强的功率处理能力，适合用于高功率密度的射频放大器设计。
　　在电气性能方面，MRF284C在Ic=0.75 A、Vce=2 V条件下的典型增益（hfe）为50，这使得它在中等增益应用中表现出色。该器件的工作温度范围广泛，从-65°C到+200°C，使其适用于各种严苛环境下的应用，如工业加热、射频焊接和射频驱动系统。
　　由于其出色的热稳定性和高可靠性，MRF284C被广泛用于射频功率放大器的设计中，特别是在需要长时间连续工作的工业和医疗设备中。此外，其结构设计和材料选择也有助于提高其抗热疲劳能力和长期稳定性，确保在复杂的工作环境中保持一致的性能表现。

MRF284C广泛应用于需要高功率射频放大的工业和医疗设备中，典型应用包括射频加热系统、射频激励器、射频焊接设备、等离子体发生器以及工业自动化设备中的射频能量控制系统。此外，它还可用于通信基础设施中的射频放大器模块，尤其是在需要较高输出功率和稳定性的场合。

MRF284CA、MRF283C、MRF281C