时间：2025/5/29 20:23:19
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NV1210B333K102CEGN 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET 功率晶体管，广泛应用于电源管理、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用先进的沟道技术制造，具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性。
该型号属于 Nexperia 公司的 MOSFET 系列产品，设计用于处理高电流和电压的应用环境。其封装形式为 LFPAK88，适合表面贴装工艺，能够显著提高功率密度并减少系统的整体尺寸。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：169A
导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ
栅极电荷：75nC
开关时间：ton=9ns，toff=18ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
NV1210B333K102CEGN 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效降低传导损耗并提升效率。
2. 快速的开关速度，适用于高频开关应用。
3. 高雪崩能量能力，确保在异常条件下具备更好的鲁棒性。
4. 符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车级应用。
5. 小型化封装设计，支持高功率密度解决方案。
6. 无铅且符合 RoHS 标准，满足环保要求。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 汽车电子中的 DC-DC 转换器和电机控制。
2. 工业设备中的电源管理和负载切换。
3. 通信系统中的高效功率转换。
4. 消费类电子产品中的适配器和充电器设计。
5. 任何需要高电流处理能力和快速开关性能的场景。
NVHLB12N40L,
NVH3N40L,
IRLB8748PbF,
STP160N4LL,
FDP17N40,
AON7711
