PFF65R360 时间：2025/8/7 5:55:07 阅读：33

PFF65R360是一款由英飞凌（Infineon）推出的功率MOSFET器件，属于OptiMOS?系列。该器件专为高效能、高功率密度的应用设计，适用于如电源供应器、DC-DC转换器、马达驱动、电池管理系统以及工业自动化设备等。PFF65R360采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供了较低的导通电阻（RDS(on)）和开关损耗，从而提高了系统的整体效率。此外，该器件封装形式为PG-HSOF-8，体积小巧，便于在紧凑空间中安装，且具有良好的热管理能力。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：650V
　　漏极电流（ID）：20A（在25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：360mΩ
　　栅极电荷（Qg）：14nC
　　输入电容（Ciss）：720pF
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：PG-HSOF-8

特性

PFF65R360的主要特性之一是其卓越的导通性能和开关效率。该器件的导通电阻仅为360mΩ，这使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。同时，其低栅极电荷（Qg）为14nC，有助于减少开关过程中的能量损耗，使其非常适合高频开关应用。
　　另一个重要特性是其高耐压能力，漏源电压（VDS）可达650V，适合用于高压电源转换系统。此外，PFF65R360具备良好的热稳定性，能够在恶劣的工作环境下保持稳定性能。该器件的封装形式为PG-HSOF-8，具有优良的散热性能，确保在高功率运行时仍能维持较低的温度上升。
　　此外，PFF65R360还具有较高的电流承载能力，在20A的漏极电流下表现稳定，适合用于需要高电流输出的应用，例如DC-DC转换器、同步整流器以及电机控制电路。该器件的输入电容（Ciss）为720pF，有助于降低高频应用中的寄生效应，提高整体系统的稳定性。

应用

PFF65R360广泛应用于各种电力电子系统中，尤其适合用于高效率电源转换设备，如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、LED照明驱动器以及光伏逆变器等。由于其具备高耐压、低导通电阻和良好的热管理性能，该器件在高压电源系统中能够显著提高能效，降低系统功耗。
　　此外，PFF65R360也可用于马达驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统。其紧凑的PG-HSOF-8封装形式使其非常适合空间受限的设计，同时确保了良好的散热性能，满足高功率密度的需求。在电动汽车（EV）充电设备、储能系统和不间断电源（UPS）等应用中，PFF65R360也能提供可靠的性能支持。