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MRF275 发布时间 时间:2025/9/3 12:37:39 查看 阅读:7

MRF275是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)制造的高功率射频(RF)晶体管。这款晶体管主要用于高功率放大器应用,特别是在广播和工业应用中。MRF275是一款横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管,以其高效率、高耐用性和出色的热稳定性著称。该器件能够在1.8 MHz至500 MHz的频率范围内工作,非常适合用于AM、FM和电视广播发射器中的高功率放大阶段。MRF275采用高可靠性设计,能够承受高驻波比(SWR)条件下的工作,使其在严苛的环境中也能稳定运行。

参数

类型:射频功率晶体管
  晶体管类型:N沟道LDMOS
  最大漏极电压(VDS):65 V
  最大栅极电压(VGS):-20 V至+20 V
  最大连续漏极电流(ID):15 A
  输出功率:275 W(典型值)
  频率范围:1.8 MHz至500 MHz
  增益:约20 dB(典型值)
  封装类型:气密封陶瓷封装
  热阻(Rth):0.25°C/W(结至壳)
  工作温度范围:-65°C至+150°C

特性

MRF275是一款专为高功率射频应用设计的LDMOS晶体管,其核心特性之一是其在广泛频率范围内提供高功率输出的能力。它能够在1.8 MHz到500 MHz的频率范围内运行,使其适用于多种广播应用,包括AM、FM和电视广播发射器。该晶体管具有275 W的典型输出功率,结合约20 dB的增益,确保了在高功率放大链中的高效能表现。
  该器件的另一个显著特点是其热稳定性。MRF275的热阻(Rth)为0.25°C/W,这表明其从结到外壳的热传导效率很高,从而提高了器件的热管理能力。这使得MRF275能够在高温环境下可靠运行,同时减少了对复杂冷却系统的需求。
  MRF275采用气密封陶瓷封装,提供了优异的机械稳定性和环境耐受性。这种封装方式有助于防止湿气和污染物的侵入,从而延长器件的使用寿命。此外,MRF275能够承受高驻波比(SWR)条件,这意味着即使在负载不匹配的情况下,器件仍能保持稳定运行,减少损坏的风险。
  该晶体管的工作温度范围为-65°C至+150°C,使其适用于各种严苛环境条件。此外,MRF275具有较高的最大漏极电压(65 V)和连续漏极电流(15 A),使其在高压和高电流应用中具有优异的性能。

应用

MRF275广泛用于需要高功率射频放大的应用中,尤其是在广播行业。它常用于AM、FM和电视广播发射器中的最终放大阶段,以提供足够的功率来驱动天线。由于其宽频率范围和高输出功率能力,MRF275也可用于工业、科学和医疗(ISM)设备中的射频功率放大器。
  此外,该晶体管适用于通信基础设施中的高功率放大器模块,例如蜂窝基站和短波通信系统。其高可靠性和耐久性也使其成为军事和航空航天应用中的理想选择,特别是在需要稳定射频输出的高可靠性系统中。
  MRF275还可用于射频测试设备和实验室仪器,提供高功率信号源以进行测试和测量。由于其优异的热管理和环境耐受性,该晶体管也适合用于户外和远程安装的射频系统,例如远程广播站和移动通信单元。

替代型号

MRF276, MRF277, BLF574

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