时间：2025/7/10 0:28:05
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IRFR1018E是来自英飞凌（Infineon）的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-252 (DPAK) 封装形式，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换以及DC-DC转换器等领域。
这款MOSFET的主要特点是低导通电阻和快速开关特性，能够在高频应用中提供高效的性能表现。此外，其坚固的设计和高可靠性也使其非常适合各种工业和消费类电子产品。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：9.6A
导通电阻（典型值，Vgs=10V）：17mΩ
栅极电荷（典型值）：23nC
总功耗：1.8W
工作结温范围：-55℃至+150℃
IRFR1018E具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，有助于降低导通损耗并提高效率。
2. 快速开关速度，适合高频应用。
3. 高电流承载能力，适用于大功率场景。
4. 具备出色的热稳定性和耐用性，能够在恶劣环境下长期运行。
5. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。
6. 封装小巧，易于集成到紧凑型设计中。
IRFR1018E适用于多种电力电子领域，包括但不限于以下应用：
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. DC-DC转换器的主开关或同步整流元件。
4. 各种负载切换电路。
5. 消费类电子产品中的功率管理模块。
6. 工业设备中的信号放大与功率传输。
IRLR1018, IRLZ1018
