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BUK7K5R1-30E,115 发布时间 时间:2025/9/14 16:16:23 查看 阅读:11

BUK7K5R1-30E,115 是由 Nexperia(安世半导体)生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率电源管理应用而设计,具备低导通电阻(RDS(on))和高电流承载能力,适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电源管理系统等领域。该 MOSFET 采用 LFPAK56 封装技术,具有良好的热性能和机械稳定性,适用于表面贴装工艺。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  漏源电压(VDS):30V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):140A
  导通电阻 RDS(on):5.1mΩ @ VGS=10V
  导通电阻 RDS(on):6.7mΩ @ VGS=4.5V
  功率耗散(Ptot):150W
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装形式:LFPAK56
  引脚数:4

特性

BUK7K5R1-30E,115 具备出色的电气性能和热管理能力。其主要特性包括:
  1. 极低导通电阻(RDS(on)),显著降低导通损耗,提高系统效率。在 VGS=10V 时 RDS(on) 仅为 5.1mΩ,在 VGS=4.5V 时为 6.7mΩ,适用于低电压驱动应用。
  2. 高电流承载能力,连续漏极电流可达 140A,适用于高功率密度设计。
  3. LFPAK56 封装具有优异的散热性能,能够有效降低工作温度,提高器件的可靠性和寿命。
  4. 宽工作温度范围(-55°C 至 +175°C),适用于工业和汽车等严苛环境。
  5. 栅极驱动电压兼容标准逻辑电平(支持 4.5V 和 10V 驱动),可与多种控制器配合使用。
  6. 内置防静电保护结构,提高器件在运输和使用过程中的可靠性。
  7. 无卤素材料,符合 RoHS 环保标准,适合绿色电子产品设计。

应用

BUK7K5R1-30E,115 主要应用于需要高效功率控制的电子系统中,包括:
  1. 同步整流 DC-DC 转换器,用于提升转换效率,特别是在高电流输出条件下表现优异。
  2. 电机控制器和负载开关,作为主功率开关元件,控制高电流负载的通断。
  3. 电池管理系统(BMS),用于保护电池组免受过流和短路损坏。
  4. 服务器和通信设备电源,提供高可靠性和高效率的电源转换解决方案。
  5. 电动汽车和工业自动化设备中的功率模块,满足高温和高可靠性要求。
  6. 便携式设备电源管理电路,因其低导通电阻可有效延长电池续航时间。
  7. 高功率 LED 驱动电路,用于调节和稳定电流输出。

替代型号

SiSS140DN, BSC010N03MS, BUK7K1R7-30E,115

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BUK7K5R1-30E,115参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥13.99000剪切带(CT)1,500 : ¥6.88944卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 N-通道(双)
  • FET 功能逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss)30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)40A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5.1 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)31.1nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2352pF @ 25V
  • 功率 - 最大值68W
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SOT-1205,8-LFPAK56
  • 供应商器件封装LFPAK56D