EEHZA1H220P 时间：2025/6/28 14:52:49 阅读：7

EEHZA1H220P 是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统的效率和可靠性。
　　该芯片通过优化的结构设计和封装技术，能够在较高的工作温度范围内保持稳定的性能，适用于对效率和热管理要求较高的应用场景。

参数

型号：EEHZA1H220P
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：650V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大漏极电流(Id)：22A
　　导通电阻(Rds(on))：0.22Ω
　　功耗(PD)：240W
　　结温范围(Tj)：-55℃ 至 +175℃
　　封装形式：TO-247

特性

EEHZA1H220P 具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗，提升系统效率。
　　2. 高耐压能力（650V），适合多种高压应用场景。
　　3. 快速开关速度，减少开关损耗并支持高频操作。
　　4. 优异的热性能，即使在高温环境下也能保持稳定运行。
　　5. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电子设计中。
　　6. 高雪崩击穿能量能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。

应用

EEHZA1H220P 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
　　2. DC-DC转换器中的同步整流或高频开关。
　　3. 电机驱动电路中的功率级控制。
　　4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
　　5. 太阳能逆变器中的功率转换部分。
　　6. 各种需要高效率和高可靠性的电力电子设备。