制造商: NXP Semiconductors
　　晶体管类型: RF LDMOS 功率晶体管
　　频率范围: 50 MHz 至 4 GHz
　　输出功率: 60 W (CW)
　　工作电压: 28 V
　　增益: 17 dB 典型值
　　效率: 65% 典型值
　　输入回波损耗: 12 dB 典型值
　　封装类型: TO-270（AirFET）
　　热阻: 0.35°C/W（结到壳）
　　存储温度范围: -65°C 至 +150°C
　　工作温度范围: -65°C 至 +150°C

MRF20060S 拥有卓越的射频性能和热管理能力，适用于多种高频功率放大应用场景。其 LDMOS 结构提供了高增益和高效率，同时在宽频率范围内保持稳定的工作性能。该晶体管能够在 28 V 的电源电压下工作，输出功率可达 60 W，特别适合用于多频段通信系统和广播设备中的功率放大器设计。
　　其 TO-270 封装形式采用了 AirFET 技术，有效提升了散热效率，降低了热阻，确保在高功率运行时的稳定性和寿命。此外，该器件的输入回波损耗为 12 dB，有助于减少信号反射，提高系统整体的匹配性能。
　　在效率方面，MRF20060S 可以实现高达 65% 的典型效率，这不仅降低了功耗，还减少了对散热系统的依赖，从而降低了整体系统成本。该晶体管的高可靠性和坚固性使其非常适合在严苛环境下运行，如工业和通信基站应用。
　　此外，MRF20060S 的设计支持多种调制格式，包括 GSM、CDMA、W-CDMA、LTE 等现代无线通信标准，适用于基站、发射机和测试设备等高要求应用。

MRF20060S 主要用于需要高功率输出和高效率的射频系统中。它在无线通信基础设施中扮演着关键角色，尤其是在 2G、3G 和 4G 基站的功率放大器模块中。此外，该器件也广泛应用于广播设备（如 FM 和 TV 发射机）、工业射频加热系统、医疗设备中的射频源、以及测试与测量仪器等。由于其宽频带特性，MRF20060S 可用于多频段和宽带放大器设计，适应多种通信标准和应用需求。

MRF15060S, MRF20060, MRFE6060