时间：2025/6/25 13:43:54
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STP11N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。该器件专为高电压应用设计，具有低导通电阻和高击穿电压的特点，适用于各种开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效功率管理的场合。
STP11N65M5属于MDmesh? M5技术系列，其优化的结构提供了卓越的开关性能和较低的总电荷（Qg），从而有助于减少开关损耗并提高整体效率。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：11A
导通电阻：790mΩ
栅极电荷：34nC
输入电容：1250pF
工作温度范围：-55℃至+150℃
STP11N65M5采用了先进的MDmesh? M5技术，这种技术通过改进单元设计和掺杂工艺显著降低了器件的导通电阻，同时保持了良好的开关性能。
其650V的高击穿电压使其非常适合用于高压环境下的功率转换和控制应用。此外，低栅极电荷和优化的开关特性可以降低系统的开关损耗，提升整体能效。
器件的TO-220封装形式易于安装和散热管理，适合多种工业应用环境。它还具备较高的雪崩能力和可靠性，能够承受瞬态过压条件下的冲击。
STP11N65M5广泛应用于各种需要高电压和高效率的场景中，例如：
1. 开关电源（SMPS）
2. 电机驱动和控制
3. 工业逆变器
4. UPS系统
5. LED驱动器
6. 各种高电压功率转换电路
由于其出色的性能，这款MOSFET在要求高效能和稳定性的领域中表现出色，特别适合对功率密度和热管理有较高要求的应用场景。
STP12NM50, IRF840, FQP13N65
