MRF184S是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的射频功率晶体管,属于N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别。该器件专为高频、高功率应用设计,广泛应用于无线通信、广播发射机、雷达系统和工业加热设备等需要高效射频功率放大的场合。MRF184S采用了先进的制造工艺,具备出色的热稳定性和高可靠性,适合在严苛的工作环境中运行。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极电压(VDSS):250V
最大漏极电流(ID):3A
最大栅极电压(VGS):±30V
最大耗散功率(PD):200W
工作温度范围:-65°C 至 +200°C
存储温度范围:-65°C 至 +200°C
漏极-源极导通电阻(RDS(on)):约0.35Ω
频率范围:最高可达500MHz
增益(典型值):在225MHz时约为14dB
输出功率(典型值):在225MHz时约为125W
封装形式:金属封装(类似TO-240AA)
MRF184S是一款专为高功率射频应用设计的MOSFET晶体管,具有多项关键性能优势。首先,其高漏极电压耐受能力(250V)和大漏极电流(3A)使其能够在高压和高电流条件下稳定工作,满足高功率放大需求。其次,该器件的最大耗散功率为200W,结合其优良的热传导性能,能够在较高工作温度下保持稳定性能,提升了系统在连续高功率运行时的可靠性。
MRF184S采用先进的硅工艺制造,具有较低的漏极-源极导通电阻(RDS(on)),这有助于降低导通损耗,提高整体效率。此外,其频率响应范围可高达500MHz,适用于VHF、UHF以及部分L波段的通信和广播应用。在225MHz频率下,该器件的典型增益约为14dB,输出功率可达125W,展现出良好的线性放大能力和高效率。
该晶体管采用金属封装(TO-240AA),这种封装形式不仅提供了良好的散热性能,还增强了机械强度和抗电磁干扰能力,适合在高振动或高温环境下使用。同时,MRF184S具备良好的热稳定性,能够在极端温度条件下(-65°C至+200°C)正常工作,进一步提升了其在工业和军事级应用中的适用性。
此外,MRF184S还具备优异的抗失真能力和高线性度,适用于需要高质量信号放大的应用,如FM广播发射机、电视发射系统和射频测试设备。其高输入阻抗特性也使得该器件易于与前级驱动电路匹配,简化了整体系统设计。
MRF184S广泛应用于需要高功率、高频率性能的射频系统中。其主要应用包括广播发射机(如FM广播、电视发射系统)、无线通信基础设施(如基站、中继器)、雷达和测试测量设备。此外,它还可用于工业和医疗射频加热系统、射频等离子体发生器以及各种业余无线电设备。
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