MRF184S 时间：2025/9/3 4:29:58 阅读：28

MRF184S是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的射频功率晶体管，属于N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该器件专为高频、高功率应用设计，广泛应用于无线通信、广播发射机、雷达系统和工业加热设备等需要高效射频功率放大的场合。MRF184S采用了先进的制造工艺，具备出色的热稳定性和高可靠性，适合在严苛的工作环境中运行。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：250V
　　最大漏极电流（ID）：3A
　　最大栅极电压（VGS）：±30V
　　最大耗散功率（PD）：200W
　　工作温度范围：-65°C 至 +200°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +200°C
　　漏极-源极导通电阻（RDS(on)）：约0.35Ω
　　频率范围：最高可达500MHz
　　增益（典型值）：在225MHz时约为14dB
　　输出功率（典型值）：在225MHz时约为125W
　　封装形式：金属封装（类似TO-240AA）

特性

MRF184S是一款专为高功率射频应用设计的MOSFET晶体管，具有多项关键性能优势。首先，其高漏极电压耐受能力（250V）和大漏极电流（3A）使其能够在高压和高电流条件下稳定工作，满足高功率放大需求。其次，该器件的最大耗散功率为200W，结合其优良的热传导性能，能够在较高工作温度下保持稳定性能，提升了系统在连续高功率运行时的可靠性。
　　MRF184S采用先进的硅工艺制造，具有较低的漏极-源极导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗，提高整体效率。此外，其频率响应范围可高达500MHz，适用于VHF、UHF以及部分L波段的通信和广播应用。在225MHz频率下，该器件的典型增益约为14dB，输出功率可达125W，展现出良好的线性放大能力和高效率。
　　该晶体管采用金属封装（TO-240AA），这种封装形式不仅提供了良好的散热性能，还增强了机械强度和抗电磁干扰能力，适合在高振动或高温环境下使用。同时，MRF184S具备良好的热稳定性，能够在极端温度条件下（-65°C至+200°C）正常工作，进一步提升了其在工业和军事级应用中的适用性。
　　此外，MRF184S还具备优异的抗失真能力和高线性度，适用于需要高质量信号放大的应用，如FM广播发射机、电视发射系统和射频测试设备。其高输入阻抗特性也使得该器件易于与前级驱动电路匹配，简化了整体系统设计。