工作频率范围：1.8 GHz - 6 GHz
　　最大漏极电压（Vds）：60 V
　　连续漏极电流（Id）：1.5 A
　　输出功率（Pout）：60 W（典型值）
　　增益：>20 dB（典型值）
　　效率：>60%（典型值）
　　封装类型：TO-247
　　热阻（Rth）：
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C

MRF15060 的主要特性之一是其宽广的工作频率范围，从 1.8 GHz 到 6 GHz，这使其非常适合用于多频段或多用途的射频放大器设计。这种宽频带特性减少了在不同频率下需要更换不同晶体管的需求，提高了系统的灵活性和可扩展性。
　　该器件的输出功率为 60 W（典型值），在 60 V 漏极电压和 1.5 A 漏极电流的条件下运行。高输出功率能力使其能够胜任高功率放大任务，如蜂窝基站、广播发射器和工业加热设备中的射频功率放大器。
　　MRF15060 的增益大于 20 dB，效率超过 60%，这表明其在提供高功率的同时还能保持较低的能耗和热量产生。高效率特性对于射频功率放大器来说至关重要，因为它有助于减少散热需求，降低系统复杂度，并提高整体能效。
　　封装方面，MRF15060 采用 TO-247 封装形式，这种封装不仅具有良好的热性能，还能方便地安装在散热器上，从而有效管理器件在高功率工作状态下的热量。其热阻（Rth）较低，确保了器件在长时间高功率工作下仍能保持稳定性能。
　　此外，MRF15060 具有良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内工作（-40°C 至 +150°C），适合各种严苛的工业环境。存储温度范围更宽（-65°C 至 +150°C），确保了器件在运输和存储过程中的稳定性。
　　综上所述，MRF15060 是一款高性能的射频 LDMOS 晶体管，具备宽频率范围、高输出功率、高增益、高效率以及良好的热管理特性，是现代射频功率放大器的理想选择。

MRF15060 广泛应用于多个领域，特别是在需要高功率射频放大的通信和工业设备中。首先，在无线通信基础设施中，MRF15060 常用于蜂窝基站（如 4G LTE 和 5G 基站）的射频功率放大器模块，其宽频带特性使其能够适应不同频段的信号放大需求，提高基站的多频段支持能力。
　　其次，该器件也常用于广播发射器中，如 FM 广播和电视广播发射系统。MRF15060 的高输出功率和高效率使其能够胜任大功率广播信号的放大任务，同时减少能耗和散热需求，提高系统的整体稳定性。
　　在工业和医疗设备领域，MRF15060 可用于射频加热、等离子体发生器和医疗射频治疗设备。这些应用通常需要稳定的射频能量输出，MRF15060 的高可靠性和热稳定性确保了设备在长时间运行下的性能一致性。
　　此外，MRF15060 还适用于测试和测量设备中的射频信号放大模块，如频谱分析仪、信号发生器和功率计。其高线性度和低失真特性有助于提高测试精度和信号质量。
　　最后，在军事和航空航天应用中，MRF15060 也可用于雷达系统、通信中继设备和电子战系统中的射频功率放大模块。其宽温度范围和高可靠性使其能够适应严苛的工作环境。

MRF15060S, MRF15120, MRFE6VP60KA