时间：2025/9/14 9:34:34
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BUK9Y3R5-40E,115是一款由Nexperia（安世半导体）制造的N沟道功率MOSFET。该器件专为高效率功率转换应用而设计，具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性，适用于DC-DC转换器、电源管理和电机控制等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：40V
连续漏极电流（Id）@25°C：150A
导通电阻（Rds(on)）：3.5mΩ（最大值）
栅极电荷（Qg）：80nC（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：PowerSO-10
BUK9Y3R5-40E,115采用了先进的Trench沟槽技术，确保了极低的导通电阻和高电流承载能力，从而减少了功率损耗并提高了系统效率。
其PowerSO-10封装设计不仅提供了良好的散热性能，还具备较小的封装尺寸，适用于高密度电路设计。
该MOSFET具备出色的雪崩耐受能力，能够在高应力条件下稳定工作，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车应用。
此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽（通常为4.5V至20V），兼容多种驱动电路设计，便于在不同的应用环境中使用。
由于其低导通损耗和开关损耗，该器件在高频开关电源中表现出色，适合用于高性能电源转换系统。
BUK9Y3R5-40E,115广泛应用于各类电源管理系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机驱动电路。
在服务器电源、通信设备电源、工业自动化系统以及汽车电子设备中，该MOSFET均可提供高效、稳定的功率控制解决方案。
由于其良好的热性能和高可靠性，该器件也常用于要求严苛的车载电源系统以及新能源应用，如太阳能逆变器和储能系统。
此外，该MOSFET还可用于电池管理系统（BMS）、电动工具和电动自行车等消费类电子产品的功率控制模块。
IPD90N06S4-03, STD150N4F7AG, BSC090N04LS G
