时间：2025/8/14 13:45:27
阅读：27
GS3K-T/R 是一款由 IXYS 公司生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理领域。这款MOSFET采用了先进的平面技术，具备较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适合用于开关电源、电机驱动以及电池管理系统等应用场景。GS3K-T/R采用了TO-252（DPAK）封装，具备良好的热管理和电气性能，适用于表面贴装技术（SMT）。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：3A
最大漏源电压（VDS）：600V
导通电阻（RDS(on)）：4.5Ω @ VGS=10V
栅极电荷（Qg）：13nC
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装：TO-252 (DPAK)
GS3K-T/R MOSFET具备多项显著的技术特性。首先，其高耐压能力（600V）使其在高压电源转换和开关应用中表现出色，能够有效减少能量损耗，提高系统效率。
其次，该器件的导通电阻相对较低，在10V栅极电压下仅为4.5Ω，这有助于降低导通状态下的功耗，减少发热，提高整体系统的可靠性。
此外，GS3K-T/R具有较小的栅极电荷（13nC），这意味着它在开关过程中所需的驱动能量较少，从而加快了开关速度，减少了开关损耗，非常适合高频开关应用。
该器件的封装形式为TO-252（DPAK），这种封装不仅提供了良好的热性能，还支持表面贴装工艺，简化了PCB布局并提高了制造效率。
最后，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和短路保护特性，能够在极端工作条件下保持稳定运行。
GS3K-T/R MOSFET主要应用于以下几类电子系统：首先是开关电源（SMPS），如AC/DC和DC/DC转换器，其高耐压和低导通电阻特性有助于提升转换效率；
其次是电机驱动电路，例如在无刷直流电机（BLDC）和步进电机控制中，作为功率开关使用；
此外，该器件还适用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制，以及逆变器和UPS系统中的功率开关电路。
由于其良好的高频响应和低开关损耗，GS3K-T/R也常用于LED照明驱动、家电控制模块以及工业自动化设备中的电源管理部分。
IXTP3N60B2、FQP3N60、IRF820、STP3NK60Z
