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DTC114YKAT146 发布时间 时间:2025/4/29 11:38:45 查看 阅读:2

DTC114YKAT146 是一款基于 CMOS 工艺制造的低压差线性稳压器(LDO),广泛应用于需要高效、低功耗和稳定输出电压的电子设备中。该芯片具有高电源抑制比(PSRR)、低噪声和快速瞬态响应等特性,适用于对电源质量要求较高的场景。

参数

输入电压范围:2.3V 至 5.5V
  输出电压范围:0.8V 至 3.3V(可调)
  输出电流:最大 150mA
  静态电流:典型值 2uA
  压降:典型值 180mV(在 150mA 负载下)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装形式:SOT-23-5

特性

DTC114YKAT146 提供了多种优越的性能特点:
  1. 高 PSRR 性能,有效抑制输入电源的纹波和干扰。
  2. 极低的静态电流设计,非常适合电池供电设备以延长续航时间。
  3. 内置过流保护和过温保护功能,确保在异常情况下芯片的安全运行。
  4. 快速瞬态响应能力,能够适应负载电流的快速变化。
  5. 输出电容只需一个小型陶瓷电容即可保证稳定性,减少外围元件数量。
  6. 小型化封装,适合空间受限的应用环境。

应用

该芯片适用于各种便携式设备和低功耗系统,具体包括:
  1. 手机和其他移动通信设备。
  2. 可穿戴设备,如智能手表和健康监测器。
  3. 物联网终端节点模块。
  4. RF 无线模块的电源供应。
  5. 消费类电子产品中的子系统电源管理。
  6. 电池供电的小型仪器仪表。

替代型号

AP2112K
  LM1117
  MC33269

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DTC114YKAT146参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)68 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 250µA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大200mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装3-SMT
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DTC114YKAT146TR