您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > CQ0201DRNPO8BN5R0

CQ0201DRNPO8BN5R0 发布时间 时间:2025/6/30 16:01:56 查看 阅读:1

CQ0201DRNPO8BN5R0 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,主要用于高频率、高效率的电力电子应用。该器件采用了先进的封装技术,能够显著降低开关损耗并提高系统效率。其典型应用场景包括开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等。CQ0201DRNPO8BN5R0 具备快速开关速度和低导通电阻特性,是现代高频功率变换设计的理想选择。
  该型号中的具体命名规则也体现了其参数特点:CQ代表产品系列,0201指代芯片的尺寸或性能等级,DRN表示采用的是DFN封装形式,PO8表明内部结构优化以适应特定功率需求,BN5R0则对应了具体的阈值电压与额定电流范围。

参数

类型:增强型功率场效应晶体管 (eGaN FET)
  最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:8A
  导通电阻(典型值):4.5mΩ
  栅极电荷:30nC
  反向恢复时间:无(由于 GaN 技术,不存在反向恢复问题)
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:DFN8(无引脚封装,适合高密度设计)

特性

CQ0201DRNPO8BN5R0 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高频条件下减少传导损耗。
  2. 高速开关能力,支持高达几兆赫兹的工作频率,从而减小磁性元件体积。
  3. 内置优化的栅极驱动电路设计,简化了外部驱动要求。
  4. 超低栅极电荷,进一步降低开关能耗。
  5. 完全无反向恢复损耗,得益于氮化镓材料本身的物理优势。
  6. 强大的热管理能力,使其能够在极端环境下稳定运行。
  7. 小型化 DFN8 封装,便于 PCB 布局且电气性能优越。
  这些特性共同使得 CQ0201DRNPO8BN5R0 在众多高效率电力电子应用中表现出色。

应用

这款芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),例如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的车载充电器及逆变器。
  3. 太阳能微型逆变器和其他可再生能源发电设备。
  4. 数据中心服务器电源模块。
  5. 快速充电适配器和无线充电装置。
  6. 工业自动化领域的电机驱动控制。
  7. )和高频脉冲生成电路。
  CQ0201DRNPO8BN5R0 凭借其卓越的性能,在需要高效率、高功率密度的设计场合备受青睐。

替代型号

CQ0201DSNPO8BN5R0
  CQ0201DRNPO6BN5R0
  CQ0201DRNPO8BN3R0

CQ0201DRNPO8BN5R0推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

CQ0201DRNPO8BN5R0参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格105,000 : ¥0.14337卷带(TR)
  • 系列CQ
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容5 pF
  • 容差±0.5pF
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用通用
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 大小 / 尺寸0.024" 长 x 0.012" 宽(0.60mm x 0.30mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.013"(0.33mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-