类型: N沟道LDMOS射频功率晶体管
　　工作频率范围: 800 MHz - 1 GHz
　　输出功率: 典型值为125W（在900MHz）
　　漏极电压（Vds）: 最大65V
　　栅极电压（Vgs）: -5V至+3V
　　增益: 典型值为17dB（在900MHz）
　　效率: 典型值为60%（在900MHz）
　　输入回波损耗: 典型值20dB
　　封装类型: 全塑封表面贴装（SOT-502AA）

MRF1008MA 的主要特性之一是其优异的射频性能。在800 MHz至1 GHz的工作频率范围内，它能够提供高达125W的输出功率，这使得它非常适合用于蜂窝通信基站、中继器和无线基础设施设备中的射频功率放大器。该器件的典型增益为17dB，在900MHz下效率可达60%，这有助于提高系统整体能效并减少散热需求。
　　另一个显著特点是其高稳定性和可靠性。MRF1008MA 采用先进的LDMOS技术制造，能够在高功率水平下稳定运行，并具备良好的热管理和抗失真能力。这对于现代通信系统中对线性度要求较高的应用（如4G LTE和5G前传网络）至关重要。
　　此外，MRF1008MA 使用SOT-502AA封装，这是一种表面贴装封装，具有良好的热传导性能，便于在高功率应用中进行有效的散热管理。其输入回波损耗典型值为20dB，确保了良好的阻抗匹配，减少了信号反射和功率损耗。
　　最后，MRF1008MA 在设计上考虑了易于集成的特点，适用于多种射频放大器拓扑结构，包括AB类和C类放大器。它的栅极电压范围为-5V至+3V，漏极电压最大可达65V，这使得它在多种电源配置下都能稳定工作。

MRF1008MA 广泛应用于无线通信基础设施领域，特别是在蜂窝基站系统中，如GSM、CDMA、LTE等通信标准的射频功率放大器模块。此外，它也可用于工业和商业射频设备中的高功率放大器设计，包括无线中继器、分布式天线系统（DAS）和测试设备中的射频信号放大。
　　由于其高效率和良好的线性度表现，MRF1008MA 也非常适合用于多载波通信系统中的高功率射频放大，能够有效支持现代通信系统中对频谱效率和信号质量的高要求。

MRF1008MR1、MRF1008MA/R7、MRF1008MAH、MRF1008MAH/R7