工作频率范围：10 MHz 至 6 GHz
　　最大衰减量：31.5 dB
　　衰减步进：0.5 dB
　　控制位数：6位（64级）
　　控制接口：串行模式
　　电源电压：2.3 V 至 3.6 V
　　逻辑输入电平（高/低）：≥1.7 V / ≤0.5 V
　　插入损耗（0 dB衰减时）：典型值1.6 dB @ 2.5 GHz
　　输入IP3（IIP3）：典型值+59 dBm @ 900 MHz
　　饱和输出功率（Psat）：典型值+33 dBm
　　切换时间：典型值<50 ns
　　封装形式：6引脚 SC-70
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

PE4302-52的核心优势之一是其基于UltraCMOS工艺实现的卓越射频性能与高集成度的结合。UltraCMOS技术是在绝缘体上硅（SOI）基板上制造的单晶硅CMOS工艺，能够提供类似砷化镓（GaAs）器件的高频特性，同时保留了传统CMOS工艺的低成本、高良率和易于集成的优点。这使得PE4302-52不仅具备出色的线性度和低失真特性，还能在宽频带内保持稳定的电气性能。例如，在900 MHz频段下，其输入三阶交调截点（IIP3）高达+59 dBm，表明其在高信号强度环境下仍能有效抑制非线性失真，非常适合用于多载波放大器前端或接收链路中的自动增益控制（AGC）电路。
　　该器件的6位串行控制接口极大地简化了与数字系统的连接。通过一个简单的三线制接口（CLK、DATA、LE），用户可以方便地写入6位衰减值。数据在时钟上升沿被锁存，且支持菊花链连接多个器件以节省GPIO资源。这种灵活性使其非常适合需要多通道衰减控制的应用场景。此外，器件内部集成了寄存器保持功能，即使在掉电后也能维持最后设置的状态，进一步增强了系统稳定性。
　　另一个关键特性是其出色的功率处理能力。PE4302-52能够承受高达+33 dBm的饱和输出功率，意味着它可以部署在靠近功率放大器的位置，无需额外的隔离或缓冲电路。这一特性对于基站发射模块和有源天线系统尤为重要。同时，其在整个工作温度范围内表现出良好的衰减精度和温度稳定性，避免了因环境变化引起的性能漂移。综合来看，PE4302-52是一款集宽带、高线性、小尺寸和易用性于一体的先进RF衰减器解决方案。

PE4302-52广泛应用于各类需要精确射频信号调控的通信系统中。在蜂窝网络基础设施领域，它常用于宏基站和小型蜂窝（Small Cell）的发射和接收通道中，作为自动增益控制（AGC）环路的关键组件，用于补偿不同信道条件下的信号波动，确保信号链的动态范围最优。在无线回传和点对点微波系统中，该器件可用于校准链路增益，提升系统整体链路预算的准确性。
　　在消费类无线产品方面，PE4302-52适用于高端Wi-Fi路由器、企业级接入点（AP）以及毫米波前端模块，尤其是在支持MU-MIMO或多频段并发的设备中，可用于平衡不同天线路径之间的信号强度，优化波束成形性能。此外，在测试与测量仪器中，如矢量网络分析仪（VNA）或信号发生器，该芯片可用于构建可编程衰减模块，提供灵活的信号调理能力。
　　在国防和航空航天领域，由于其宽频带特性和高可靠性，PE4302-52可用于电子战（EW）系统、雷达前端和软件定义无线电（SDR）平台，实现快速、精确的信号衰减调节。其小尺寸封装也使其成为便携式或机载通信设备的理想选择。总之，凡是在射频频段需要高精度、快速响应数字衰减功能的场合，PE4302-52都是一种极具竞争力的解决方案。

PE43713
　　PE42020
　　HMC1119