MRBS20047 时间：2025/12/28 9:40:02 阅读：9

MRBS20047是一款由Vishay Semiconductors生产的表面贴装硅肖特基势垒二极管，采用DPAK（TO-252）封装。该器件专为高电流密度和低正向压降应用而设计，广泛应用于电源整流、续流二极管、极性保护以及DC-DC转换器等场景。MRBS20047的命名中，“MRBS”代表Vishay的肖特基二极管系列，“200”表示其最大重复反向电压为200V，“47”通常与特定电流或产品变体相关联，但在此型号中更可能指代其在产品序列中的位置。值得注意的是，尽管标称电压为200V，但肖特基二极管在如此高电压下会表现出较高的漏电流和较低的效率，因此该器件可能属于高压肖特基技术的特殊实现，结合了性能与可靠性优化。该器件符合RoHS指令要求，适合自动贴片生产线使用，具备良好的热稳定性和机械强度。

参数

类型：肖特基势垒二极管
　　封装/包装：DPAK（TO-252）
　　是否无铅：是
　　最大重复反向电压 VRRM：200 V
　　平均整流电流 IO：15 A
　　正向压降 VF：典型值1.55 V（在15 A时）
　　最大浪涌电流 IFSM：300 A（单个半正弦波）
　　工作结温范围：-65 °C 至 +175 °C
　　反向漏电流 IR：≤ 400 μA（在额定VRRM且TJ = 25°C时）
　　热阻 RθJC：1.7 ℃/W

特性

MRBS20047的核心优势在于其在200V高反向电压下仍保持肖特基二极管的快速开关特性，这使其区别于传统的低压肖特基器件，并填补了标准肖特基与快恢复二极管之间的性能空白。该器件采用了先进的平面硅工艺技术，通过优化金属-半导体接触界面，实现了较低的正向导通损耗和可控的反向漏电流。尽管其正向压降（1.55V）相比低压肖特基（如30V以下）略高，但在200V等级的同类产品中仍处于领先水平，有助于提升系统整体效率，特别是在大电流持续工作的条件下。
　　该二极管具备出色的浪涌电流承受能力，IFSM高达300A，表明其能够承受短时间内的极端电流冲击，例如电源启动或负载突变时的瞬态电流，从而增强了系统的可靠性和耐用性。此外，其宽泛的工作结温范围（-65°C至+175°C）使其适用于严苛环境下的工业、汽车和能源应用。DPAK封装不仅支持表面贴装自动化生产，还具备优良的散热性能，配合PCB上的散热焊盘，可有效将内部热量传导至外部环境，避免因局部过热导致器件失效。
　　MRBS20047的另一个关键特性是其稳定的反向漏电流控制。在高温高电压条件下，肖特基二极管容易出现漏电流急剧上升的问题，影响系统待机功耗和安全性。该器件通过结构优化和材料选择，在175°C高温下仍能将漏电流维持在可接受范围内，确保长期运行的稳定性。同时，其快速恢复特性（trr极短，通常小于10ns）意味着在高频开关电路中几乎不会产生反向恢复电荷（Qrr），从而减少开关损耗和电磁干扰（EMI），特别适用于高频DC-DC变换器、PFC电路和逆变器拓扑结构。

应用

MRBS20047主要应用于需要高电压阻断能力和高效整流的电源系统中。典型应用场景包括工业电源中的输出整流级，尤其是在连续导通模式（CCM）的升压PFC（功率因数校正）电路中，作为输出二极管使用，能够有效降低传导损耗并提高能效等级。在太阳能逆变器系统中，该器件可用于直流侧的防反接保护和能量回馈路径，利用其高耐压和低VF特性实现高效能量传输。
　　在电动汽车和充电桩的辅助电源模块中，MRBS20047可用于DC-DC转换器的次级侧整流，提供稳定可靠的电压输出。此外，在UPS不间断电源、服务器电源和电信整流器等高可靠性设备中，该器件因其长寿命和高鲁棒性而被广泛采用。其优异的热性能也使其适用于密闭空间或自然冷却条件下的紧凑型电源设计，无需额外散热装置即可满足热管理需求。