时间：2025/9/21 14:08:40
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2SK3614-TD-E是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效率功率控制的电子设备中。该器件采用先进的沟槽式场效应晶体管技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等优点，适用于高密度电源设计。其封装形式为TO-252（D-Pak），便于安装在PCB上并具备良好的散热性能。该MOSFET特别适合在中等功率范围内提供高效的电压控制与电流切换功能，能够在较高的环境温度下稳定运行。由于其优异的电气特性和可靠性，2SK3614-TD-E常被用于工业控制、消费类电子产品以及通信设备中的功率管理模块。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色制造的需求。
型号：2SK3614-TD-E
极性：N沟道
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：75A（Tc=25℃）
脉冲漏极电流（Idm）：260A
导通电阻Rds(on)：min 1.8mΩ，typ 2.3mΩ（Vgs=10V, Id=30A）
阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
输入电容（Ciss）：典型值 7000pF
输出电容（Coss）：典型值 1900pF
反向传输电容（Crss）：典型值 300pF
栅极电荷（Qg）：典型值 90nC（Vds=50V, Id=30A, Vgs=10V）
功耗（Pd）：250W（Tc=25℃）
工作结温范围：-55℃ ~ +150℃
存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装类型：TO-252（D-Pak）
2SK3614-TD-E采用东芝专有的沟槽结构硅技术，实现了极低的导通电阻Rds(on)，这有助于显著降低导通损耗，提高系统整体能效。在Vgs=10V且Id=30A的工作条件下，其典型Rds(on)仅为2.3mΩ，这一指标在同类60V N沟道MOSFET中处于领先水平，特别适合大电流应用场景。器件的高电流承载能力（连续漏极电流可达75A）使其能够胜任诸如大功率同步整流、电池管理系统和电动工具驱动等对电流要求严苛的任务。
该MOSFET具备优良的开关特性，其输入电容和反向传输电容较小，配合合理的栅极驱动设计可实现快速开关动作，减少开关过程中的能量损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg）意味着驱动电路所需提供的能量更少，从而降低了驱动损耗并提升了系统的动态响应能力。这对于高频工作的开关电源（如LLC谐振变换器或多相VRM）尤为重要。
热稳定性方面，2SK3614-TD-E采用TO-252封装，具有较大的焊盘面积以利于热量传导至PCB，有效提升散热效率。其最大功耗可达250W（在壳温25℃时），结合良好的PCB布局设计，可在高温环境下保持稳定运行。此外，器件内部结构优化减少了热阻（Rth(j-c)），进一步增强了长期工作的可靠性和寿命。
该器件还具备较强的抗雪崩能力和稳健的栅氧化层设计，能够承受一定的过压和瞬态冲击，提高了在复杂电磁环境下的鲁棒性。内置体二极管具有较快的反向恢复特性，适用于需要续流路径的应用场合。总体而言，2SK3614-TD-E在性能、可靠性与封装集成度之间取得了良好平衡，是中高端功率应用的理想选择之一。
2SK3614-TD-E主要用于各类高效率、大电流的电源转换系统中。常见应用包括但不限于：开关模式电源（SMPS）、DC-DC升压/降压转换器、同步整流电路、电机驱动器、逆变器、UPS不间断电源、LED驱动电源以及电池充电管理系统等。在服务器电源、通信基站电源模块和工业自动化设备中也广泛应用。
由于其低导通电阻和高电流能力，该器件非常适合用作主开关管或同步整流管，在硬开关和软开关拓扑中均表现出色。例如，在多相降压变换器中作为下管使用时，能够有效减少导通损耗，提高转换效率；在H桥或半桥拓扑中，可用于控制直流电机或驱动感性负载。
此外，该MOSFET还可用于电动汽车辅助电源、电动工具、无人机电源模块等便携式高功率设备中。其紧凑的TO-252封装有利于节省PCB空间，同时通过适当的散热设计仍可维持高性能输出。对于需要长期连续运行的工业控制系统，2SK3614-TD-E的高可靠性和宽温度范围使其成为值得信赖的核心功率元件。
TK2R5A60D
IRF1404ZPBF
PHK3614-60Y
