类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：5.3A（在 25°C）
　　功耗（Pd）：2W
　　导通电阻（Rds(on)）：22mΩ（典型值，Vgs=4.5V）
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOP-8

MR2002 的核心特性之一是其低导通电阻，这使得在高电流条件下导通损耗大大降低，从而提高了整体系统效率。此外，该器件在 4.5V 的栅极驱动电压下即可实现充分导通，兼容标准逻辑电平驱动电路，适用于各种开关应用。其采用的先进沟槽式 MOSFET 技术有助于提升电流密度并减小封装尺寸，满足现代电子产品对小型化和高性能的双重需求。
　　在热性能方面，MR2002 的 SOP-8 封装设计具有良好的散热能力，能够在较高负载下保持稳定运行。该器件还具备较高的雪崩能量承受能力，增强了在突发电压或电流冲击下的可靠性。此外，其较高的栅极绝缘能力（Vgs 最大 ±12V）提供了额外的安全裕量，防止因电压波动而导致的损坏。
　　MR2002 的设计也考虑到了封装与 PCB 布局的兼容性，SOP-8 封装不仅便于自动化贴装，还支持表面贴装技术（SMT），有利于提升制造效率和产品一致性。

MR2002 主要应用于中低功率电源管理系统，例如 DC-DC 转换器、同步整流器、电池充电与管理系统、负载开关以及电机控制电路。在便携式电子设备中，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中，MR2002 可作为高效能开关元件使用，以提高能效并延长电池续航时间。在工业控制系统中，它也可用于驱动继电器、LED 照明模块和小型电机等负载。此外，由于其良好的热稳定性和耐压能力，MR2002 也适用于汽车电子系统中的辅助电源管理模块。

Si2302DS, AO3400A, FDN340P