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CM150DU-24F 发布时间 时间:2025/9/29 20:51:25 查看 阅读:10

CM150DU-24F是一款由富士电机(Fuji Electric)生产的高功率IGBT模块,广泛应用于工业驱动和电力转换系统中。该模块属于富士Electric的7代IGBT技术产品线,具有低损耗、高可靠性和优良的热性能特点。CM150DU-24F采用双单元(Dual)结构设计,内部集成了两个独立的IGBT芯片和对应的反并联二极管,构成一个半桥拓扑结构,适用于逆变器、UPS不间断电源、伺服驱动器、太阳能逆变器以及感应加热等高功率应用场景。该模块额定电流为150A,额定电压为1200V,能够承受较高的瞬时过载能力,适合在恶劣工作环境下长期稳定运行。模块封装形式为第二代平板式(Press-fit或Screw Terminal),便于散热器安装并支持无焊接连接方式,提高系统可靠性。此外,CM150DU-24F内置NTC温度传感器,可用于实时监测模块内部温度,实现精确的热管理和过温保护功能。该模块还具备优异的短路耐受能力和抗电磁干扰性能,满足工业级EMC标准要求。

参数

型号:CM150DU-24F
  制造商:富士电机(Fuji Electric)
  器件类型:IGBT模块
  拓扑结构:双单元(Half-Bridge)
  集电极电流 Ic (连续):150A
  集电极电流 Icp (峰值):300A
  集射极击穿电压 Vces:1200V
  栅极阈值电压 Vge(th):典型值6.0V
  饱和导通压降 Vce(sat) @ Ic=150A, Vge=15V:典型值1.75V
  二极管正向压降 Vf @ If=150A:典型值1.65V
  开关频率:最高可达20kHz(取决于应用条件和散热)
  工作结温范围:-40°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  隔离电压:2500VAC/min
  封装类型:第二代平板式模块(Second Generation Cube)
  是否含NTC:是(1个NTC热敏电阻)
  安装方式:螺栓固定或压接式安装

特性

CM150DU-24F采用富士电机第七代IGBT芯片技术,显著降低了导通损耗和开关损耗,提升了整体效率。其优化的芯片布局和载流子分布设计使得在高频开关条件下仍能保持较低的温升,从而延长模块使用寿命。
  该模块具备出色的短路耐受能力,典型短路时间可达10μs以上,在发生负载异常或电路故障时可提供足够的保护响应时间,配合外部驱动电路实现可靠的过流保护机制。
  模块内部集成高性能快速恢复二极管,具有低反向恢复电荷Qrr和软恢复特性,有效减少换流过程中的电压尖峰和电磁干扰,提升系统EMI性能。
  CM150DU-24F采用高强度陶瓷基板和先进的焊接工艺,确保良好的热循环耐久性和机械稳定性,适用于频繁启停和温度剧烈变化的工业环境。
  其平板式封装结构支持直接水冷或风冷散热方案,热阻Rth(j-c)低至0.18°C/W左右,有助于实现紧凑型高功率密度设计。
  模块引出端子经过优化设计,减少寄生电感,提高开关过程中的电压稳定性,降低dv/dt对驱动电路的影响。
  支持并联使用,由于其一致的电气特性和良好的温度系数匹配,多模块并联时电流分配均匀,适用于更高功率等级的应用扩展。
  符合RoHS环保要求,材料选用符合国际环保标准,适用于全球范围内的工业设备制造与出口需求。

应用

CM150DU-24F广泛应用于各类中高功率电力电子变换装置中。在通用变频器领域,它被用于三相交流电机的调速控制,实现高效节能运行,常见于风机、水泵、压缩机等工业负载驱动系统。
  在不间断电源(UPS)系统中,该模块作为DC/AC逆变级核心元件,承担将蓄电池直流电转换为纯净正弦波交流电的任务,保障关键设备供电连续性。
  在太阳能光伏逆变器中,CM150DU-24F可用于集中式或组串式逆变器的主功率回路,完成直流侧能量向电网的高效馈送,支持最大功率点跟踪(MPPT)算法的实现。
  此外,该模块也适用于工业感应加热电源,如金属熔炼、淬火、焊接等场合,利用其高频开关能力产生交变磁场,实现非接触式加热。
  在伺服驱动器和电动汽车充电桩中,CM150DU-24F同样表现出良好的动态响应能力和负载适应性,适合需要精确控制和高可靠性的场景。
  由于其具备NTC温度反馈功能,非常适合构建闭环温控系统,提升整机安全等级。同时,该模块也可用于有源滤波器(APF)、静态无功补偿(SVC)等电能质量治理设备中,参与谐波抑制和无功调节。
  总之,CM150DU-24F凭借其高功率密度、高可靠性和成熟的配套技术支持,已成为工业自动化与新能源领域主流选择之一。

替代型号

2MBI150U4B-120
  FF150R12KS4
  CM150DY-24H

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CM150DU-24F参数

  • 标准包装2
  • 类别半导体模块
  • 家庭IGBT
  • 系列IGBTMOD™
  • IGBT 类型沟道
  • 配置半桥
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.4V @ 15V,150A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)150A
  • 电流 - 集电极截止(最大)1mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)59nF @ 10V
  • 功率 - 最大600W
  • 输入标准型
  • NTC 热敏电阻
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商设备封装模块