电容值：33pF
　　容差：±5%
　　额定电压：50V
　　介质材料：NPO（COG）
　　封装尺寸：0805（公制2012）
　　温度系数：0 ppm/°C ±30 ppm/°C
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：10,000 MΩ min
　　ESR（等效串联电阻）：极低
　　Q值（品质因数）：1000 @ 1MHz
　　DF（耗散因数）：<0.05%
　　结构：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　端接类型：镍/锡（Ni/Sn）

930C2P33J-F 的核心特性在于其卓越的电气稳定性和低损耗性能。由于采用NPO（COG）介质材料，其电容值随温度变化非常小，确保了在极端环境下的稳定运行。该电容器具有极高的Q值（品质因数），使其在射频和微波电路中表现出色，能够有效减少信号损耗和热噪声。此外，其低ESR（等效串联电阻）和高绝缘电阻进一步提升了高频性能和可靠性。
　　这款电容器的机械设计优化了焊接强度和热稳定性，确保在高温和振动环境下仍能保持稳定的电气性能。ATC 930C2P33J-F 还具备优异的抗湿性和耐腐蚀性，适用于严苛的工作环境。同时，其标准的0805封装尺寸便于在各种PCB布局中集成，适合自动化SMT（表面贴装技术）装配流程。

930C2P33J-F 专为高性能射频和微波电路设计，广泛应用于无线通信系统、基站设备、卫星通信、雷达系统、测试与测量仪器、军事电子设备以及高精度滤波器和振荡器电路。该电容器特别适合用于需要高稳定性和低损耗的射频匹配网络、耦合电路、旁路电路和调谐电路中。由于其优异的温度稳定性和高Q值，它在高频放大器、滤波器和振荡器设计中是理想的选型。此外，该器件也适用于医疗电子设备和航空航天系统，这些领域对电子组件的可靠性和性能要求极高。

AVX 08055D330JAT2A, Kemet C0805C330J5GACTU, Vishay VJ0805Y330JBEAC