MPSW45A是一种高性能的N沟道功率MOSFET,采用TO-220封装形式。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率转换和开关的应用场景。MPSW45A具有低导通电阻(Rds(on))、高击穿电压(V(BR)DSS)和快速开关特性,适合在高频条件下工作。
由于其出色的电气性能和可靠性,MPSW45A成为众多设计工程师的理想选择,特别是在注重效率和散热性能的应用中。
最大漏源电压:45V
连续漏极电流:17A
导通电阻:8.5mΩ
栅极电荷:19nC
开关速度:快速开关
功耗:36W
封装形式:TO-220
MPSW45A的主要特性包括以下几点:
1. 高击穿电压:能够承受高达45V的漏源电压,确保在高压环境下可靠运行。
2. 极低的导通电阻:仅为8.5mΩ,显著降低传导损耗,提高整体系统效率。
3. 快速开关能力:具备低栅极电荷和快速开关时间,非常适合高频应用。
4. 小型封装:TO-220封装使其易于集成到各种电路设计中,同时提供良好的散热性能。
5. 可靠性高:通过了严格的测试流程,能够在恶劣环境下长期稳定工作。
6. 热稳定性强:即使在高电流或高环境温度下,也能保持稳定的性能表现。
MPSW45A适用于多种电子设备和系统:
1. 开关电源(SMPS):
- DC-DC转换器
- AC-DC适配器
2. 电机驱动:
- 无刷直流电机控制
- 步进电机驱动
3. 负载开关:
- 电池管理系统中的负载切换
- 消费类电子产品中的动态电源管理
4. 其他领域:
- 工业自动化设备
- 汽车电子系统中的功率管理
MPSW45A凭借其优异的性能和可靠性,为这些应用提供了高效的功率解决方案。
IRFZ44N
STP17NF06
FDP5800