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MPSW45A 发布时间 时间:2025/4/25 18:50:39 查看 阅读:10

MPSW45A是一种高性能的N沟道功率MOSFET,采用TO-220封装形式。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率转换和开关的应用场景。MPSW45A具有低导通电阻(Rds(on))、高击穿电压(V(BR)DSS)和快速开关特性,适合在高频条件下工作。
  由于其出色的电气性能和可靠性,MPSW45A成为众多设计工程师的理想选择,特别是在注重效率和散热性能的应用中。

参数

最大漏源电压:45V
  连续漏极电流:17A
  导通电阻:8.5mΩ
  栅极电荷:19nC
  开关速度:快速开关
  功耗:36W
  封装形式:TO-220

特性

MPSW45A的主要特性包括以下几点:
  1. 高击穿电压:能够承受高达45V的漏源电压,确保在高压环境下可靠运行。
  2. 极低的导通电阻:仅为8.5mΩ,显著降低传导损耗,提高整体系统效率。
  3. 快速开关能力:具备低栅极电荷和快速开关时间,非常适合高频应用。
  4. 小型封装:TO-220封装使其易于集成到各种电路设计中,同时提供良好的散热性能。
  5. 可靠性高:通过了严格的测试流程,能够在恶劣环境下长期稳定工作。
  6. 热稳定性强:即使在高电流或高环境温度下,也能保持稳定的性能表现。

应用

MPSW45A适用于多种电子设备和系统:
  1. 开关电源(SMPS):
   - DC-DC转换器
   - AC-DC适配器
  2. 电机驱动:
   - 无刷直流电机控制
   - 步进电机驱动
  3. 负载开关:
   - 电池管理系统中的负载切换
   - 消费类电子产品中的动态电源管理
  4. 其他领域:
   - 工业自动化设备
   - 汽车电子系统中的功率管理
  MPSW45A凭借其优异的性能和可靠性,为这些应用提供了高效的功率解决方案。

替代型号

IRFZ44N
  STP17NF06
  FDP5800

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MPSW45A参数

  • 标准包装5,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1.5V @ 2mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)25000 @ 200mA,5V
  • 功率 - 最大1W
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-226-3、TO-92-3 长体
  • 供应商设备封装TO-92
  • 包装散装
  • 其它名称MPSW45AOS