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NTHD3101FT3 发布时间 时间:2023/11/6 17:45:00 查看 阅读:145

产品种类:MOSFET小信号

目录

概述

制造商:ONSemiconductor
产品种类:MOSFET小信号
RoHS:否
配置:SingleDualDrain
晶体管极性:NandP-Channel
电阻汲极/源极RDS(导通):0.077Ohms/0.085Ohms
正向跨导gFS(最大值/最小值):6S,8S
汲极/源极击穿电压:20V,-20V
闸/源击穿电压:+/-12V,+/-8V
漏极连续电流:3.9A,-4.4A
功率耗散:1.1W
最大工作温度:+150

安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:ChipFET-8
封装:Reel
最小工作温度:-55

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NTHD3101FT3参数

  • 标准包装10,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点二极管(隔离式)
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C80 毫欧 @ 3.2A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs7.4nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds680pF @ 10V
  • 功率 - 最大1.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SMD,扁平引线
  • 供应商设备封装ChipFET?
  • 包装带卷 (TR)