IRLZ44NSTRL 时间：2025/12/26 20:24:59 阅读：13

IRLZ44NSTRL是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效开关性能的电源管理领域。该器件采用先进的沟槽栅极和场截止技术，具备低导通电阻、高开关速度以及优异的热稳定性，适合在高密度电源设计中使用。IRLZ44NSTRL封装于DPAK（TO-252）表面贴装封装中，便于自动化生产与散热管理，适用于DC-DC转换器、电机驱动、电池供电系统及电源开关等应用场合。该MOSFET设计符合RoHS环保标准，并具有良好的抗雪崩能力和可靠性，能够在恶劣工作环境下稳定运行。其引脚配置简单，易于在PCB布局中实现，是中小功率开关应用中的理想选择之一。

参数

类型：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：55 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：63 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：220 A
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻（RDS(on)）@10V VGS：17.5 mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@4.5V VGS：22 mΩ
　　栅极电荷（Qg）@10V：59 nC
　　输入电容（Ciss）：2200 pF
　　反向恢复时间（trr）：48 ns
　　阈值电压（Vth）：2.0 V
　　功耗（PD）：125 W
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　封装：DPAK (TO-252)

特性

IRLZ44NSTRL采用英飞凌先进的TrenchStop? 技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关特性之间的平衡。其典型RDS(on)仅为17.5mΩ（在VGS = 10V时），显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统整体效率。该器件在低栅极驱动电压下仍能保持良好性能，在4.5V VGS条件下RDS(on)为22mΩ，使其兼容3.3V和5V逻辑电平控制电路，适用于微控制器直接驱动的应用场景。
　　该MOSFET具有较高的电流处理能力，连续漏极电流可达63A（在TC=25°C时），并能承受高达220A的脉冲电流，适合应对瞬态负载变化或启动冲击电流较大的应用。其低栅极电荷（Qg = 59nC）和输入电容（Ciss = 2200pF）有助于减少驱动损耗和提高开关频率，从而支持高频开关电源设计，如同步整流DC-DC变换器。
　　IRLZ44NSTRL具备出色的热性能，125W的最大功耗配合DPAK封装可有效传导热量至PCB，通过合理的散热设计可在高温环境中长期稳定运行。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）确保了在工业级甚至部分汽车级环境中的适用性。此外，该器件具有较强的抗雪崩能力，能够承受一定的能量应力，增强了系统鲁棒性。
　　内置体二极管具有较快的反向恢复时间（trr = 48ns），减少了换流过程中的损耗和电磁干扰，特别有利于桥式电路中的死区损耗控制。整体而言，IRLZ44NSTRL在性能、可靠性与成本之间取得了良好平衡，是多种中功率电力电子应用中的优选器件。