型号: MPSC2N125U120
　　类型: SiC MOSFET
　　漏源电压(Vds): 1200V
　　漏极电流(Id): 125A（Tc=25℃）
　　导通电阻(Rds(on)): 典型值为20mΩ
　　栅极电荷(Qg): 160nC
　　工作温度范围: -55°C 至 +175°C
　　封装类型: TO-247
　　短路耐受能力: 有

MPSC2N125U120碳化硅MOSFET具备多项先进特性。首先，其碳化硅材料使得器件具有更高的热导率和更高的工作温度耐受能力，从而提高了器件在高功率应用中的可靠性。其次，与传统硅基MOSFET相比，MPSC2N125U120具有更低的导通电阻（Rds(on)），显著降低了导通损耗，提高了整体能效。此外，该器件还具有较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，使其适用于高频开关应用。
　　另一个关键特性是其优异的短路耐受能力，能够在短时间内承受较高的电流应力，提高了系统的鲁棒性。该器件还具有快速的开关速度，有助于减小功率变换器的体积和重量，特别适合于要求高功率密度和高效能的电力电子系统。
　　此外，MPSC2N125U120的封装设计优化了热管理和电气性能，确保在高负载条件下依然保持稳定的工作状态。这些特性共同使其成为适用于严苛工作环境的高性能功率器件。

MPSC2N125U120广泛应用于高功率密度和高效率要求的电力电子系统中。典型应用包括工业电机驱动、可再生能源系统（如太阳能逆变器和风力发电变流器）、电动汽车充电系统（如车载充电机和直流快充桩）、储能系统以及不间断电源（UPS）。此外，该器件也适用于各类高频率开关电源和功率因数校正（PFC）电路，有助于提升系统整体效率和可靠性。
　　由于其优异的高温性能，MPSC2N125U120还可用于高温环境下的电力转换应用，如航空航天、铁路牵引系统和智能电网等高端领域。

Cree/Cypress的C3M0065065K、Infineon的IMZA65R048M1、ON Semiconductor的NVH4L025N120SC1