时间：2025/5/8 15:14:02
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DMP68D1LFB是一款基于DMOS工艺制造的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于开关电源、电机驱动和负载开关等应用。该器件具有低导通电阻、高击穿电压以及出色的热性能，适合在高频开关电路中使用。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：30A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：25nC
工作温度范围：-55℃ to +150℃
DMP68D1LFB采用了先进的封装技术，能够有效降低寄生电感，提升整体效率。其超低的导通电阻使其在大电流应用中表现出色，同时具备快速的开关速度，从而减少了开关损耗。此外，该器件还具有优异的雪崩能力和抗静电能力，提高了系统的可靠性和稳定性。
这款MOSFET非常适合需要高效能和高可靠性的设计场景，例如服务器电源、工业设备和通信设备中的DC-DC转换器及负载控制模块。它还支持多种保护功能，包括过流保护和短路保护，以确保系统安全运行。
DMP68D1LFB广泛应用于各种电力电子领域，如消费类电子产品中的适配器和充电器、汽车电子中的电池管理系统（BMS）、工业自动化中的电机控制和驱动电路。此外，它还可以用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和其他需要高效功率转换的应用场合。由于其卓越的性能和可靠性，DMP68D1LFB成为许多工程师在设计高性能功率电路时的首选。
IRF640N
STP30NF06
FDP5800
